| IEICE Technical Committee Submission System Announcement |
|||||||||||||||
| Conference Information | |||||||||||||||
|
|||||||||||||||
| Announcement | |||||||||||||||
************************************************************************* 平成25年11月度SDM研究会 開催通知と論文募集のご案内 ************************************************************************* ★シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 専門委員長 奈良 安雄 副委員長 大野 裕三 幹事 笹子 佳孝 幹事補佐 黒田理人 下記要領にて、11月度SDM研究会発表論文を募集いたします。 共催：応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 ■テーマ：「プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般」 ■日程：2013年11月14日（木）～15日（金） ■会場：機械振興会館 地下２階 １号室 ■開催プログラム 確定後、以下にアップされます。随時ご確認ください。 http://ken.ieice.org/ken/program/index.php?tgid=SDM ■申込締切：2013年9月9日（月） ■申込方法： 発表申し込みのWebページ (http://ken.ieice.org/ken/program/index.php?tgid=SDM)より、 発表題目・著者・発表者・所属・論文概要(100文字程度)・連絡先 を記入して申込みお願いします。受付後、「技術研究報告」用原稿 の作成に関するご連絡をさせていただきます。 ■論文原稿提出締切：開催日の約３週間前（原稿執筆依頼時に通知） ■論文頁数：研究会原稿用紙A4版6ページ以内 ■スコープ １．プロセス・デバイス・回路のシミュレーション ・デバイスシミュレーション全般 （MOSFET、FinFET、Ultra Thin Body SOI、グラフェンなどの フロンティアデバイス等） ・フロントエンド・バックエンドプロセスシミュレーション全般 （不純物拡散、配線、シリコン 貫通ビア等） ・高周波やノイズモデリングを含む、回路シミュレーション用コンパクトデバイスモデリング ２．シミュレーション設計技術 ・0.5V駆動回路に向けたバイスシミュレーションおよび回路シミュレーション ・新規メモリ、MEMSのデバイスシミュレーションおよび回路シミュレーション ３．LSI物理設計、回路設計 ・0.5V駆動回路に向けた物理設計 ・新規及び微細化メモリの回路設計 ４．半導体シミュレーション技術の応用展開 ・MEMSシミュレーション設計 ・バイオシステムへの半導体シミュレーション技術の応用展開 ・有機素子のモデリング、シミュレーション ・Photovoltaic deviceへの応用 ■照会先： 〒664-0005 兵庫県伊丹市瑞原４丁目１－３ ルネサスエレクトロニクス（株） 国清辰也 TEL(072)787-2408， FAX(072)789-3438 E-mail：tatsuya.kunikiyo.zn[atmark]renesas.com |
|||||||||||||||
[Return to Top Page] |
|||||||||||||||