IEICE Technical Committee Submission System
Announcement
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 Conference Information
Committee SDM
Date 2016-06-29 - 2016-06-29
Place Campus Innovation Center Tokyo
Deadline 2016-04-11
Topics Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories

 Announcement

SDM 6月度研究会は、一昨年度よりテーマ名称を「ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術」から「MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術」に変更しています。この度の研究会は、過去14回の6月度研究会に引き続き、応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会、表面・界面・シリコン材料研究委員会が企画する研究集会と合同開催となります。昨年と同様なスタイルで、会場はキャンパス・イノベーションセンター東京にて、午前・午後の1日研究会として開催いたします。

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The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers (IEICE), Japan