| IEICE Technical Committee Submission System Announcement |
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| Conference Information | |||||||||||||||
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| Announcement | |||||||||||||||
************************************************************** 平成27年4月 ICD研究会（メモリ技術）開催通知と論文募集のご案内 ************************************************************** ＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝ ★ 電子情報通信学会 集積回路研究会 (ICD) 専門委員長 山村 毅 (富士通研) 副委員長 藤島 実 (広島大) 幹事 渡辺 理 (東芝) 幹事補佐 吉田 毅 (広島大)， 高宮 真 (東大)， 土谷 亮 (京大)，範 公可 (電通大) ＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝ メモリ（DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ）技術について、 研究会を開催いたしますので、論文の投稿と御参加をお待ちしております。 記 ■テーマ：メモリ（DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ）技術 ■会期： 2015年4月16日(木), 17日(金) ■会場： 信州大学 長野（工学）キャンパス 若里総合研究棟 1F大会議室 住所 〒380-8553 長野市若里4-17-1 交通案内 http://www.shinshu-u.ac.jp/guidance/maps/map03.html#traffic ■論文・発表募集テーマ：メモリ（DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ）技術 ■発表形式：口頭発表 ■発表申込方法： ・発表タイトル、発表概要(100-200文字程度）他必要事項を 下記URLより入力ください。 http://ken.ieice.org/ken/program/index.php?tgid=IEICE-ICD&lang=jpn ■発表申込締め切り： 3月3日(火) 17:00 まで ただし、定員に達し次第締め切ります。 ・発表を申し込まれた方には、発表締め切り後、 予稿集原稿の提出をお願いします。 予稿集原稿提出要領： ・原稿提出〆切は、開催日の約3週間前。 学会本部より、別途案内いたします。 ・形式： 研究会原稿様式(A4) 6ページ以内、論文形式。 ■表彰： ・今年度末日まで33歳未満の方は、口頭発表/ポスター発表共に、 「研究会優秀若手講演賞」の表彰審査対象となります。 ・賞は、賞状、副賞として1万円が添えられます。 ・表彰対象者は、電子情報通信学会会員であるか、入会が 授賞の条件になります。 ■本件照会先： ICD幹事補佐：高宮 真（東京大学）mtaka@iis.u-tokyo.ac.jp |
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