IEICE Technical Committee Submission System
Announcement
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 Conference Information
Committee SDM
Date 2014-06-19 - 2014-06-19
Place VBL, Nagoya Univ.
Deadline 2014-04-09
Topics Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories

 Announcement

この度のSDM 6月度研究会は、テーマ名称を「ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術」から「MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術」に変更していますが、過去12回の6月度研究会に引き続き、応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会、表面・界面・シリコン材料研究委員会が企画する研究集会「新機能素子形成技術」と合同開催致します。昨年と同様なスタイルで、会場は名古屋大学、東山キャンパス、ベンチャー・ビジネス・ラボラトリーにて、午前・午後の1日研究会として開催いたします。

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The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers (IEICE), Japan