| IEICE Technical Committee Submission System Announcement |
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| Conference Information | |||||||||||||||
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| Announcement | |||||||||||||||
SDM 6月度研究会は、昨年度よりテーマ名称を「ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術」から「MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術」に変更しています。この度の研究会は、過去13回の6月度研究会に引き続き、応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会、表面・界面・シリコン材料研究委員会が企画する研究集会「新しいデバイス材料とプロセス～パワーデバイス・2Dチャネル材料～」と合同開催となります。昨年と同様なスタイルで、会場は名古屋大学、東山キャンパス、ベンチャー・ビジネス・ラボラトリーにて、午前・午後の1日研究会として開催いたします。 |
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