電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 詳細情報 |
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スケジュール情報 | |||||||||||||||
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開催案内 | |||||||||||||||
************************************************************************* 平成25年11月度SDM研究会 開催通知と論文募集のご案内 ************************************************************************* ★シリコン材料・デバイス研究会(SDM) 専門委員長 奈良 安雄 副委員長 大野 裕三 幹事 笹子 佳孝 幹事補佐 黒田理人 下記要領にて、11月度SDM研究会発表論文を募集いたします。 共催:応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 ■テーマ:「プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般」 ■日程:2013年11月14日(木)~15日(金) ■会場:機械振興会館 地下2階 1号室 ■開催プログラム 確定後、以下にアップされます。随時ご確認ください。 http://ken.ieice.org/ken/program/index.php?tgid=SDM ■申込締切:2013年9月9日(月) ■申込方法: 発表申し込みのWebページ (http://ken.ieice.org/ken/program/index.php?tgid=SDM)より、 発表題目・著者・発表者・所属・論文概要(100文字程度)・連絡先 を記入して申込みお願いします。受付後、「技術研究報告」用原稿 の作成に関するご連絡をさせていただきます。 ■論文原稿提出締切:開催日の約3週間前(原稿執筆依頼時に通知) ■論文頁数:研究会原稿用紙A4版6ページ以内 ■スコープ 1.プロセス・デバイス・回路のシミュレーション ・デバイスシミュレーション全般 (MOSFET、FinFET、Ultra Thin Body SOI、グラフェンなどの フロンティアデバイス等) ・フロントエンド・バックエンドプロセスシミュレーション全般 (不純物拡散、配線、シリコン 貫通ビア等) ・高周波やノイズモデリングを含む、回路シミュレーション用コンパクトデバイスモデリング 2.シミュレーション設計技術 ・0.5V駆動回路に向けたバイスシミュレーションおよび回路シミュレーション ・新規メモリ、MEMSのデバイスシミュレーションおよび回路シミュレーション 3.LSI物理設計、回路設計 ・0.5V駆動回路に向けた物理設計 ・新規及び微細化メモリの回路設計 4.半導体シミュレーション技術の応用展開 ・MEMSシミュレーション設計 ・バイオシステムへの半導体シミュレーション技術の応用展開 ・有機素子のモデリング、シミュレーション ・Photovoltaic deviceへの応用 ■照会先: 〒664-0005 兵庫県伊丹市瑞原4丁目1-3 ルネサスエレクトロニクス(株) 国清辰也 TEL(072)787-2408, FAX(072)789-3438 E-mail:tatsuya.kunikiyo.zn[atmark]renesas.com |
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