| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 詳細情報 |
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| 開催案内 | |||||||||||||||
************************************************************************* 平成28年11月度SDM研究会 開催通知と論文募集のご案内 ************************************************************************* ★シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 専門委員長 国清 辰也（ルネサス エレクトロ二クス） 副委員長 品田 高宏（東北大） 幹事 黒田 理人（東北大）、 山口 直（ルネサス エレクトロ二クス） 幹事補佐 池田 浩也（静岡大） 下記要領にて、11月度SDM研究会発表論文を募集いたします。 共催：応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 ■テーマ：「プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般」 ■日程：2016年11月10日（木）～11日（金） ■会場：機械振興会館 6F 6-66会議室 ■開催プログラム 確定後、以下にアップされます。随時ご確認ください。 http://ken.ieice.org/ken/program/index.php?tgid=SDM ■申込締切：2016年9月5日（月） ■申込方法： 発表申し込みのWebページ (http://ken.ieice.org/ken/program/index.php?tgid=SDM)より、 発表題目・著者・発表者・所属・論文概要(100文字程度)・連絡先 を記入して申込みお願いします。受付後、「技術研究報告」用原稿 の作成に関するご連絡をさせていただきます。 ■論文原稿提出締切：2016年10月18日（火） ■論文頁数：研究会原稿用紙A4版6ページ以内 ■スコープ １．プロセス・デバイス・回路のシミュレーション ・デバイスシミュレーション全般 （MOSFET、FinFET、Ultra Thin Body SOI、グラフェンなどのフロンティアデバイス等） ・フロントエンド・バックエンドプロセスシミュレーション全般 （不純物拡散、配線、シリコン貫通ビア等） ・高周波やノイズモデリングを含む、回路シミュレーション用コンパクトデバイスモデリング ２．シミュレーション設計技術 ・0.5V駆動回路に向けたバイスシミュレーションおよび回路シミュレーション ・新規メモリ、MEMSのデバイスシミュレーションおよび回路シミュレーション ３．LSI物理設計、回路設計 ・0.5V駆動回路に向けた物理設計 ・新規及び微細化メモリの回路設計 ４．半導体シミュレーション技術の応用展開 ・MEMSシミュレーション設計 ・バイオシステムへの半導体シミュレーション技術の応用展開 ・有機素子のモデリング、シミュレーション ・Photovoltaic deviceへの応用 ■照会先： 〒312-8504 茨城県ひたちなか市堀口751番地 ルネサス エレクトロニクス（株） 国清辰也 TEL(029)-272-3111 内線(3485) FAX(029)-270-2430 E-mail：tatsuya.kunikiyo.zn[atmark]renesas.com 〒243-0014 神奈川県厚木市旭町４丁目１４－１ ソニー（株） 安斎久浩 TEL(050)3141-4277 FAX(050)3809-1414 E-mail：Hisahiro.Ansai[atmark]jp.sony.com |
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