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 スケジュール情報
研究会 SDM
開催日 2015-06-19 - 2015-06-19
会場 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
発表申込締切日 2015-04-09
議題 MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催)

 開催案内

SDM 6月度研究会は、昨年度よりテーマ名称を「ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術」から「MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術」に変更しています。この度の研究会は、過去13回の6月度研究会に引き続き、応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会、表面・界面・シリコン材料研究委員会が企画する研究集会「新しいデバイス材料とプロセス~パワーデバイス・2Dチャネル材料~」と合同開催となります。昨年と同様なスタイルで、会場は名古屋大学、東山キャンパス、ベンチャー・ビジネス・ラボラトリーにて、午前・午後の1日研究会として開催いたします。


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