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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2005-01-18 13:25 5W出力1.9GHｚ動作のAlGaN/GaN-HEMT SPDTスイッチ ○広瀬真由美・高田賢治・蔵口雅彦・佐々木忠寛・鈴木 隆・津田邦男（東芝） エレソ技報アーカイブへのリンク：  ED2004-219 MW2004-226 |
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| 抄録 | （和） | アンドープAlGaN/GaNのHEMTを用いて、1.9GHz動作、5W出力のSPDTスイッチを試作した。HEMT構造は、アンドープAlGaN層のショットキゲート下に浅いリセスを形成して、ゲートリーク電流を低減し、オーミック電極下に深いリセスを形成して、オーミック接触抵抗を低減する構造とした。ゲート長0.8μm、ゲートオーミック電極間1.1μmの構造で、FET幅1mmあたりのオン抵抗は5.8Ω、オフ容量は0.25ｐFであった。このFETで構成したスルーFET1mm、シャントFET0.2mmのSPDTスイッチは、オン電圧０V、オフ電圧-15Vの条件で、1.9GHZでの損失が0.41dB、アイソレーションは33dBであった。入力電力は36.9dBmまで確認でき、このときの電力圧縮は0.12dBであった。この結果から、提案したHEMT構造は、高出力、高周波のスイッチに有望であることが確認できた。 |
| （英） | A 5W-SPDT switch operating at 1.9 GHz was fabricated using undoped AlGaN/GaN HEMTs. In the HEMT structure, the undoped AlGaN layer was shallowly recessed under the gate electrode to reduce the leakage current, and deeply recessed under the ohmic electrode to decrease contact resistance. The on-state resistance of the 1 mm-width FET was 5.8 Ω and the off-state capacitance was 0.25 pF at a gate length of 0.8 mm and a length between gate and ohmic electrode of 1.1 mm. The SPDT switch using the HFETs consists of 1mm-width through FETs and 0.2 mm-width shunt FETs. The insertion loss at 1.9GHz was 0.41 dB and the isolation was 33 dB under the condition of 0V for the on-state and -15V for the off-state. The maximum input power of 36.9 dBm was measured and the power compression at the input power was 0.12 dB. This performance indicates that the proposed structure is promising for high-power and high-frequency RF swiches. | |
| キーワード | （和） | GaN / HEMT / HFET / SPDTスイッチ / ゲートリーク電流 / 接触抵抗 / / |
| （英） | GaN / HEMT / HFET / SPDT switch / gate leakage current / contact resistance / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 104, no. 550, ED2004-219, pp. 41-45, 2005年1月. | |
| 資料番号 | ED2004-219 | |
| 発行日 | 2005-01-11 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2004-219 MW2004-226 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW ED |
| 開催期間 | 2005-01-17 - 2005-01-18 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 超高速・超高周波デバイスおよびIC／一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2005-01-MW-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 5W出力1.9GHｚ動作のAlGaN/GaN-HEMT SPDTスイッチ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 5W-1.9 GHz-SPDT Switch Using AlGaN/GaN HEMTs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | HFET / HFET |
| キーワード(4)（和/英） | SPDTスイッチ / SPDT switch |
| キーワード(5)（和/英） | ゲートリーク電流 / gate leakage current |
| キーワード(6)（和/英） | 接触抵抗 / contact resistance |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 広瀬 真由美 / Mayumi Hirose / |
| 第1著者 所属（和/英） | 東芝 (略称： 東芝) Toshiba (略称： Toshiba) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高田 賢治 / Yoshiharu Takada / |
| 第2著者 所属（和/英） | 東芝 (略称： 東芝) Toshiba (略称： Toshiba) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 蔵口 雅彦 / Masahiko Kuraguchi / |
| 第3著者 所属（和/英） | 東芝 (略称： 東芝) Toshiba (略称： Toshiba) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐々木 忠寛 / Tadahiro Sasaki / |
| 第4著者 所属（和/英） | 東芝 (略称： 東芝) Toshiba (略称： Toshiba) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 隆 / Takashi Suzuki / |
| 第5著者 所属（和/英） | 東芝 (略称： 東芝) Toshiba (略称： Toshiba) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 津田 邦男 / Kunio Tsuda / |
| 第6著者 所属（和/英） | 東芝 (略称： 東芝) Toshiba (略称： Toshiba) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2005-01-18 13:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2004-219, MW2004-226 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | no.550(ED), no.552(MW) |
| ページ範囲 | pp.41-45 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2005-01-11 (ED, MW) |
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