講演抄録/キーワード |
講演名 |
2005-01-18 13:50
導電性N-SiC基板上高出力AlGaN/GaN HEMT ○金村雅仁・吉川俊英・常信和清(富士通研) エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2004-220 MW2004-227 |
抄録 |
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文献情報 |
信学技報, vol. 104, no. 550, ED2004-220, pp. 47-51, 2005年1月. |
資料番号 |
ED2004-220 |
発行日 |
2005-01-11 (ED, MW) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2004-220 MW2004-227 |
研究会情報 |
研究会 |
MW ED |
開催期間 |
2005-01-17 - 2005-01-18 |
開催地(和) |
機械振興会館 |
開催地(英) |
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テーマ(和) |
超高速・超高周波デバイスおよびIC/一般 |
テーマ(英) |
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講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
ED |
会議コード |
2005-01-MW-ED |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
導電性N-SiC基板上高出力AlGaN/GaN HEMT |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
金村 雅仁 / Masahito Kanamura / カナムラ マサヒト |
第1著者 所属(和/英) |
(株)富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Lab.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
吉川 俊英 / Toshihide Kikkawa / キッカワ トシヒデ |
第2著者 所属(和/英) |
(株)富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Lab.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
常信 和清 / Kazukiyo Joshin / |
第3著者 所属(和/英) |
(株)富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Lab.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2005-01-18 13:50:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
ED |
資料番号 |
ED2004-220, MW2004-227 |
巻番号(vol) |
vol.104 |
号番号(no) |
no.550(ED), no.552(MW) |
ページ範囲 |
pp.47-51 |
ページ数 |
5 |
発行日 |
2005-01-11 (ED, MW) |
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