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講演抄録/キーワード
講演名 2005-08-18 15:45
レプリカセルバイアス技術を用いた低リークSRAMマクロ
平林 修武山泰久大竹博之櫛田桂一大塚伸朗東芝エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2005-141 ICD2005-80
抄録 (和) (事前公開アブストラクト) モバイル用SoCの消費電力削減には、スタンドバイ時のSRAMリーク電流削減が重要であり、そのためデータ保持可能な範囲でセルバイアスを緩和させる方法が提案されている。今回、各種ばらつきを補償したセルバイアス設定を可能とするレプリカセルバイアス技術を開発、従来よりも効果的なリーク電流削減を実現した。本技術を適用した512Kbマクロを90nm CMOSプロセスにて試作した。 
(英) (Advance abstract in Japanese is available)
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文献情報 信学技報, vol. 105, no. 234, ICD2005-80, pp. 79-84, 2005年8月.
資料番号 ICD2005-80 
発行日 2005-08-11 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2005-141 ICD2005-80

研究会情報
研究会 ICD SDM  
開催期間 2005-08-18 - 2005-08-19 
開催地(和) 函館国際ホテル 
開催地(英) HAKODATE KOKUSAI HOTEL 
テーマ(和) VLSI回路、デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力) オーガナイザ 中央大学 榎本忠儀 
テーマ(英) VLSI Circuits, Device Technologies (High Speed, Low Voltage, Low Power), etc 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2005-08-ICD-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) レプリカセルバイアス技術を用いた低リークSRAMマクロ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A Low Leakage SRAM Macro with Replica Cell Biasing Scheme 
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 平林 修 / Osamu Hirabayashi / ヒラバヤシ オサム
第1著者 所属(和/英) (株)東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 武山 泰久 / Yasuhisa Takeyama / タケヤマ ヤスヒサ
第2著者 所属(和/英) (株)東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 大竹 博之 / Hiroyuki Otake / オオタケ ヒロユキ
第3著者 所属(和/英) (株)東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 櫛田 桂一 / Keiichi Kushida / クシダ ケイイチ
第4著者 所属(和/英) (株)東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 大塚 伸朗 / Nobuaki Otsuka / オオツカ ノブアキ
第5著者 所属(和/英) (株)東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2005-08-18 15:45:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ICD 
資料番号 SDM2005-141, ICD2005-80 
巻番号(vol) vol.105 
号番号(no) no.232(SDM), no.234(ICD) 
ページ範囲 pp.79-84 
ページ数
発行日 2005-08-11 (SDM, ICD) 


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