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講演抄録/キーワード
講演名 2005-08-19 11:10
Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のAl濃度変調及びパーシャルシリサイドゲート電極によるCMOS非対称閾値の改善
門島 勝小川有人高橋正志MIRAI-ASET)・太田裕之MIRAI-ASRC)・三瀬信行岩本邦彦MIRAI-ASET)・右田真司MIRAI-ASRC)・藤原英明佐竹秀喜生田目俊秀MIRAI-ASET)・鳥海 明MIRAI-ASRC/東大エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2005-148 ICD2005-87
抄録 (和) Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のCMOSFETへ適用が期待されているが、n-及びp-MOSFETの閾値が非対称になることが問題となっている。これは、ゲート電極の仕事関数が、あるエネルギー位置に固定(ピニング)される現象として説明される。本研究では、このピニングを制御して閾値の調整を可能にする新規な2つの方法を提案する。一方は、HfAlOx(N)膜中のAl濃度を制御する方法であり、他方はパーシャルシリサイドゲート電極及び、その電極への不純物ドーピングである。いずれも、45nmノードLSTP用LSIに有効な技術と考えられる。 
(英) Threshold voltage (Vth) tuning by engineering Fermi-level pinning (FLP) on HfAlOx(N) dielectrics is demonstrated for CMOSFETs. Two kinds of methods have been proposed. One is to control the Al concentration in the HfAlOx(N) dielectrics to modulate the FLP energy position for the Vth symmetry. The other is the doping into the partially silicided platinum (PtSix<1) gates on HfAlOx(N). These two methods can be employed for adjusting Vth for 45 nm-node low standby-power CMOS devices.
キーワード (和) 高誘電率(high-k)ゲート絶縁膜 / 閾値制御 / Al濃度変調 / パーシャルシリサイド電極 / ドーピング効果 / / /  
(英) high-k dielectric / threshold voltage tuning / Al compositional adjustment / partially silicided gate / doping effect / / /  
文献情報 信学技報, vol. 105, no. 233, SDM2005-148, pp. 31-36, 2005年8月.
資料番号 SDM2005-148 
発行日 2005-08-12 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2005-148 ICD2005-87

研究会情報
研究会 ICD SDM  
開催期間 2005-08-18 - 2005-08-19 
開催地(和) 函館国際ホテル 
開催地(英) HAKODATE KOKUSAI HOTEL 
テーマ(和) VLSI回路、デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力) オーガナイザ 中央大学 榎本忠儀 
テーマ(英) VLSI Circuits, Device Technologies (High Speed, Low Voltage, Low Power), etc 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2005-08-ICD-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のAl濃度変調及びパーシャルシリサイドゲート電極によるCMOS非対称閾値の改善 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Improvement of threshold voltage asymmetry by Al compositional mudulation and partially silicided gate electrode for Hf-based high-k CMOSFETs 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 高誘電率(high-k)ゲート絶縁膜 / high-k dielectric  
キーワード(2)(和/英) 閾値制御 / threshold voltage tuning  
キーワード(3)(和/英) Al濃度変調 / Al compositional adjustment  
キーワード(4)(和/英) パーシャルシリサイド電極 / partially silicided gate  
キーワード(5)(和/英) ドーピング効果 / doping effect  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 門島 勝 / Masaru Kadoshima / カドシマ マサル
第1著者 所属(和/英) MIRAI-ASET (略称: MIRAI-ASET)
MIRAI-ASET (略称: MIRAI-ASET)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 小川 有人 / Arito Ogawa / オガワ アリト
第2著者 所属(和/英) MIRAI-ASET (略称: MIRAI-ASET)
MIRAI-ASET (略称: MIRAI-ASET)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 高橋 正志 / Masashi Takahashi / タカハシ マサシ
第3著者 所属(和/英) MIRAI-ASET (略称: MIRAI-ASET)
MIRAI-ASET (略称: MIRAI-ASET)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 太田 裕之 / Hiroyuki Ota / オオタ ヒロユキ
第4著者 所属(和/英) MIRAI-産総研ASRC (略称: MIRAI-ASRC)
MIRAI-ASRC, AIST (略称: MIRAI-ASRC, AIST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 三瀬 信行 / Nobuyuki Mise / ミセ ノブユキ
第5著者 所属(和/英) MIRAI-ASET (略称: MIRAI-ASET)
MIRAI-ASET (略称: MIRAI-ASET)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩本 邦彦 / Kunihiko Iwamoto / イワモト クニヒコ
第6著者 所属(和/英) MIRAI-ASET (略称: MIRAI-ASET)
MIRAI-ASET (略称: MIRAI-ASET)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 右田 真司 / Shinji Migita / ミギタ シンジ
第7著者 所属(和/英) MIRAI-産総研ASRC (略称: MIRAI-ASRC)
MIRAI-ASRC, AIST (略称: MIRAI-ASRC, AIST)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤原 英明 / Hideaki Fujiwara / フジワラ ヒデアキ
第8著者 所属(和/英) MIRAI-ASET (略称: MIRAI-ASET)
MIRAI-ASET (略称: MIRAI-ASET)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐竹 秀喜 / Hideki Satake / サタケ ヒデキ
第9著者 所属(和/英) MIRAI-ASET (略称: MIRAI-ASET)
MIRAI-ASET (略称: MIRAI-ASET)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 生田目 俊秀 / Toshihide Nabatame / ナバタメ トシヒデ
第10著者 所属(和/英) MIRAI-ASET (略称: MIRAI-ASET)
MIRAI-ASET (略称: MIRAI-ASET)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 鳥海 明 / Akira Toriumi / トリウミ アキラ
第11著者 所属(和/英) MIRAI-産総研ASRC、東京大学 (略称: MIRAI-ASRC/東大)
MIRAI-ASRC, AIST, The University of Tokyo (略称: MIRAI-ASRC, AIST, The Univ. of Tokyo)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
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講演者 第1著者 
発表日時 2005-08-19 11:10:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2005-148, ICD2005-87 
巻番号(vol) vol.105 
号番号(no) no.233(SDM), no.235(ICD) 
ページ範囲 pp.31-36 
ページ数
発行日 2005-08-12 (SDM, ICD) 


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