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| 講演名 | 2005-08-19 10:45 Mixed Signal CMOS用HfSiON ゲート絶縁膜の最適化 ○小島健嗣・飯島良介・大黒達也・渡辺 健・高柳万里子・百瀬寿代・石丸一成・石内秀美（東芝） エレソ技報アーカイブへのリンク：  SDM2005-147 ICD2005-86 |
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| 抄録 | （和） | (事前公開アブストラクト) Mixed Signal CMOSに最適なHfSiONゲート絶縁膜の最適化を行った。最適化によりVthマッチング及びflicker noise特性がITRS hp65nm nodeを満たすことができることが判った。 |
| （英） | (Advance abstract in Japanese is available) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 105, no. 233, SDM2005-147, pp. 25-30, 2005年8月. | |
| 資料番号 | SDM2005-147 | |
| 発行日 | 2005-08-12 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2005-147 ICD2005-86 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM |
| 開催期間 | 2005-08-18 - 2005-08-19 |
| 開催地（和） | 函館国際ホテル |
| 開催地（英） | HAKODATE KOKUSAI HOTEL |
| テーマ（和） | VLSI回路、デバイス技術（高速・低電圧・低消費電力） オーガナイザ 中央大学 榎本忠儀 |
| テーマ（英） | VLSI Circuits, Device Technologies (High Speed, Low Voltage, Low Power), etc |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2005-08-ICD-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Mixed Signal CMOS用HfSiON ゲート絶縁膜の最適化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | HfSiON Gate Dielectrics Design for Mixed Signal CMOS |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / |
| キーワード(2)（和/英） | / |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小島 健嗣 / Kenji Kojima / コジマ ケンジ |
| 第1著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクタ社 SoC研究開発センター (略称： 東芝) SoC R&D Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company (略称： TOSHIBA) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 飯島 良介 / Ryosuke Iijima / イイジマ リヨウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | (株)東芝 研究開発センター (略称： 東芝) Research & Development Center, Toshiba Corporation (略称： TOSHIBA) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大黒 達也 / Tatsuya Ohguro / オオグロ タツヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 株）東芝セミコンダクタ社 SoC研究開発センター (略称： 東芝) SoC R&D Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company (略称： TOSHIBA) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡辺 健 / Takeshi Watanabe / ワタナベ タケシ |
| 第4著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクタ社 SoC研究開発センター (略称： 東芝) SoC R&D Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company (略称： TOSHIBA) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高柳 万里子 / Mariko Takayanagi / タカヤナギ マリコ |
| 第5著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクタ社 SoC研究開発センター (略称： 東芝) SoC R&D Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company (略称： TOSHIBA) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 百瀬 寿代 / Hisayo S. Momose / モモセ ヒサヨ |
| 第6著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクタ社 SoC研究開発センター (略称： 東芝) SoC R&D Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company (略称： TOSHIBA) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石丸 一成 / Kazunari Ishimaru / イシマル カズナリ |
| 第7著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクタ社 SoC研究開発センター (略称： 東芝) SoC R&D Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company (略称： TOSHIBA) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石内 秀美 / Hidemi Ishiuchi / イシウチ ヒデミ |
| 第8著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクタ社 SoC研究開発センター (略称： 東芝) SoC R&D Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company (略称： TOSHIBA) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
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| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2005-08-19 10:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2005-147, ICD2005-86 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | no.233(SDM), no.235(ICD) |
| ページ範囲 | pp.25-30 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2005-08-12 (SDM, ICD) |
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