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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2005-08-19 14:15 AG-ANDフラッシュメモリにおける多値高速書込み技術 ～ 多値レベルに応じて最適容量を選択する改良型定電荷注入書込み方式 ～ ○大津賀一雄・倉田英明（日立）・小堺健司・野田敏史（ルネサステクノロジ）・笹子佳孝・有金 剛・河村哲史・小林 孝（日立） エレソ技報アーカイブへのリンク：  SDM2005-153 ICD2005-92 |
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| 抄録 | （和） | 本報告では，多値AG-ANDフラッシュメモリにおいて高速な書込み転送レートを実現する書込み技術について述べる。多値高速書込みを実現するキー技術として、多値レベルに応じて最適容量を選択する改良型定電荷注入書込み方式を開発した。4Gbit AG-ANDフラッシュメモリでは、ローカルビット線の容量を多値の中位レベルに、ローカルビット線及びグローバルビット線の容量を多値最上位レベルに使用することで、多値の各レベルにおける書込み時間を短縮する事ができた。本技術を適用して書込み転送レート10MB/sを実現した。 |
| （英） | We developed a selective-capacitance constant-charge-injection programming scheme for multilevel AG-AND flash memories. This scheme minimizes the programming time of each Vth level using optimized capacitance values. In 4-Gbit AG-AND flash memory, a local bit line capacitance is utilized for middle-level, and sum of local and global bit line capacitance is utilized for top-level. A programming throughput of 10 MB/s is achieved using this new scheme. | |
| キーワード | （和） | フラッシュメモリ / AG-AND / 多値技術 / 定電荷注入書込み / / / / |
| （英） | Flash memory / AG-AND / Multilevel Technology / Constant-Charge-Injection Programming / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 105, no. 235, ICD2005-92, pp. 61-66, 2005年8月. | |
| 資料番号 | ICD2005-92 | |
| 発行日 | 2005-08-12 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2005-153 ICD2005-92 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM |
| 開催期間 | 2005-08-18 - 2005-08-19 |
| 開催地（和） | 函館国際ホテル |
| 開催地（英） | HAKODATE KOKUSAI HOTEL |
| テーマ（和） | VLSI回路、デバイス技術（高速・低電圧・低消費電力） オーガナイザ 中央大学 榎本忠儀 |
| テーマ（英） | VLSI Circuits, Device Technologies (High Speed, Low Voltage, Low Power), etc |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2005-08-ICD-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | AG-ANDフラッシュメモリにおける多値高速書込み技術 |
| サブタイトル（和） | 多値レベルに応じて最適容量を選択する改良型定電荷注入書込み方式 |
| タイトル（英） | Selective-Capacitance Constant-Charge-Injection Programming Scheme for High-Speed Multilevel AG-AND Flash Memories |
| サブタイトル（英） | * |
| キーワード(1)（和/英） | フラッシュメモリ / Flash memory |
| キーワード(2)（和/英） | AG-AND / AG-AND |
| キーワード(3)（和/英） | 多値技術 / Multilevel Technology |
| キーワード(4)（和/英） | 定電荷注入書込み / Constant-Charge-Injection Programming |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大津賀 一雄 / Kazuo Otsuga / オオツガ カズオ |
| 第1著者 所属（和/英） | (株)日立製作所中央研究所 (略称： 日立) Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi, Ltd.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 倉田 英明 / Hideaki Kurata / クラタ ヒデアキ |
| 第2著者 所属（和/英） | (株)日立製作所中央研究所 (略称： 日立) Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi, Ltd.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小堺 健司 / Kenji Kozakai / コザカイ ケンジ |
| 第3著者 所属（和/英） | （株）ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野田 敏史 / Satoshi Noda / ノダ サトシ |
| 第4著者 所属（和/英） | （株）ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 笹子 佳孝 / Yoshitaka Sasago / ササゴ ヨシタカ |
| 第5著者 所属（和/英） | (株)日立製作所中央研究所 (略称： 日立) Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi, Ltd.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 有金 剛 / Tsuyoshi Arigane / アリガネ ツヨシ |
| 第6著者 所属（和/英） | (株)日立製作所中央研究所 (略称： 日立) Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi, Ltd.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 河村 哲史 / Tetsufumi Kawamura / カワムラ テツフミ |
| 第7著者 所属（和/英） | (株)日立製作所中央研究所 (略称： 日立) Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi, Ltd.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 孝 / Takashi Kobayashi / コバヤシ タカシ |
| 第8著者 所属（和/英） | (株)日立製作所中央研究所 (略称： 日立) Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi, Ltd.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2005-08-19 14:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | SDM2005-153, ICD2005-92 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | no.233(SDM), no.235(ICD) |
| ページ範囲 | pp.61-66 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2005-08-12 (SDM, ICD) |
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