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講演抄録/キーワード
講演名 2005-10-13 11:00
RF-MBE法によるInN/InGaN多重量子井戸構造の成長と評価
大橋達男石沢峻介Petter Holmström菊池昭彦岸野克巳上智大エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2005-122 CPM2005-109 LQE2005-49
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
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文献情報 信学技報, vol. 105, no. 329, LQE2005-49, pp. 17-21, 2005年10月.
資料番号 LQE2005-49 
発行日 2005-10-06 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2005-122 CPM2005-109 LQE2005-49

研究会情報
研究会 LQE ED CPM  
開催期間 2005-10-13 - 2005-10-15 
開催地(和) 立命館大学 
開催地(英) Ritsumeikan Univ. 
テーマ(和) 窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般 (窒化物半導体国際ワークショップ) 
テーマ(英) Nitride Based Optical and Electronic Devices, Materials and Related Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2005-10-LQE-ED-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) RF-MBE法によるInN/InGaN多重量子井戸構造の成長と評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Growth and characterization of InN/InGaN multiple quantum wells by RF-MBE 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 大橋 達男 / Tatsuo Ohashi / オオハシ タツオ
第1著者 所属(和/英) 上智大学 (略称: 上智大)
Sophia University (略称: Sophia Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 石沢 峻介 / Shunsuke Ishizawa / イシザワ シュンスケ
第2著者 所属(和/英) 上智大学 (略称: 上智大)
Sophia University (略称: Sophia Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) Petter Holmström / Petter Holmström /
第3著者 所属(和/英) 上智大学 (略称: 上智大)
Sophia University (略称: Sophia Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 菊池 昭彦 / Akihiko Kikuchi / キクチ アキヒコ
第4著者 所属(和/英) 上智大学 (略称: 上智大)
Sophia University (略称: Sophia Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 岸野 克巳 / Katsumi Kishino / キシノ カツミ
第5著者 所属(和/英) 上智大学 (略称: 上智大)
Sophia University (略称: Sophia Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2005-10-13 11:00:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 ED2005-122, CPM2005-109, LQE2005-49 
巻番号(vol) vol.105 
号番号(no) no.325(ED), no.327(CPM), no.329(LQE) 
ページ範囲 pp.17-21 
ページ数
発行日 2005-10-06 (ED, CPM, LQE) 


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