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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2005-10-14 11:10 昇華法によるさまざまなSiC基板上へのAlN結晶成長 ○土屋法隆・クリッシュナン バラクリッシュナン・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤崎 勇（名城大）・下野健二・野呂匡志・高木 俊（イビデン）・古庄智明（シクスオン） エレソ技報アーカイブへのリンク：  ED2005-145 CPM2005-132 LQE2005-72 |
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| 抄録 | （和） | 紫外発光デバイス用、高周波・高出力電子デバイス用基板としてAlN単結晶が注目されている。本研究では、昇華法を用いて、従来用いられているSiC(0001)面に加え、MOVPE法によりAlNコーティングされたSiC(0001) 面、および他の面方位のSiC上へのAlN成長を試みたので報告する。 |
| （英） | Bulk AlN has attracted much attention as a substrate for the fabrication of UV/DUV devices and high power electronic devices. In this study, we report on the sublimation growth of AlN on 6H-SiC and 4H-SiC with various orientations. | |
| キーワード | （和） | AlN / 昇華法 / UVエミッタ / / / / / |
| （英） | AlN / sublimation method / UV emitter / electron devices / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 105, no. 328, CPM2005-132, pp. 29-34, 2005年10月. | |
| 資料番号 | CPM2005-132 | |
| 発行日 | 2005-10-07 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2005-145 CPM2005-132 LQE2005-72 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2005-10-13 - 2005-10-15 |
| 開催地（和） | 立命館大学 |
| 開催地（英） | Ritsumeikan Univ. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，及び関連技術，及び一般 （窒化物半導体国際ワークショップ） |
| テーマ（英） | Nitride Based Optical and Electronic Devices, Materials and Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2005-10-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 昇華法によるさまざまなSiC基板上へのAlN結晶成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of AlN crystal on various SiC substrates by sublimation method |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(2)（和/英） | 昇華法 / sublimation method |
| キーワード(3)（和/英） | UVエミッタ / UV emitter |
| キーワード(4)（和/英） | / electron devices |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 土屋 法隆 / Noritaka Tsuchiya / ツチヤ ノリタカ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | クリッシュナン バラクリッシュナン / Krishnan Balakrishnan / クリッシュナン バラクリッシュナン |
| 第2著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya / イワヤ モトアキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上山 智 / Satoshi Kamiyama / カミヤマ サトシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 天野 浩 / Hiroshi Amano / アマノ ヒロシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤崎 勇 / Isamu Akasaki / アカサキ イサム |
| 第6著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 下野 健二 / Kenji Shimono / シモノ ケンジ |
| 第7著者 所属（和/英） | イビデン(株) (略称： イビデン) Ibiden Co. Ltd (略称： Ibiden Co. Ltd) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野呂 匡志 / Tadashi Noro / ノロ タダシ |
| 第8著者 所属（和/英） | イビデン(株) (略称： イビデン) Ibiden Co. Ltd (略称： Ibiden Co. Ltd) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高木 俊 / Takashi Takagi / タカギ タカシ |
| 第9著者 所属（和/英） | イビデン(株) (略称： イビデン) Ibiden Co. Ltd (略称： Ibiden Co. Ltd) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古庄 智明 / Tomoaki Furusho / フルショウ トモアキ |
| 第10著者 所属（和/英） | 株式会社シクスオン (略称： シクスオン) SiXON Ltd. (略称： SiXON Ldt.) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2005-10-14 11:10:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | ED2005-145, CPM2005-132, LQE2005-72 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | no.326(ED), no.328(CPM), no.330(LQE) |
| ページ範囲 | pp.29-34 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2005-10-07 (ED, CPM, LQE) |
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