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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2005-11-12 09:50 ArFレーザ援用MOCVD法で作製したInN1-xOx薄膜によるH2Sの光触媒分解効果 ○宮西正芳（福井大）・高橋尚也（福井高専）・小林隆弘（福井大）・高山勝己（福井高専）・南保幸男（日華化学）・橋本明弘・山本あきお（福井大） エレソ技報アーカイブへのリンク：  CPM2005-163 |
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| 抄録 | （和） | ArFエキシマレーザ援用MOCVD法(La-MOCVD法)により低温（500℃以下）で形成したInN膜には酸素が混入し易く、成長膜はInNとIn2O3との混晶、InN1-xOx、になっていると考えられている。In2O3が光触媒活性を有することに着目し、InN1-xOx膜の光触媒活性を評価した。光触媒効果としてはH2Sの分解特性を調べた。その結果、成長温度200℃以下のInN1-xOx膜が優れた光触媒活性を有することを初めて見出した。既存の光触媒材料であるTiO2やIn2O3との比較を行った結果、InN1-xOx膜の分解効果の方が優れていることがわかった。 |
| （英） | An InN1-xOx, which is an alloy of InN with In2O3, is grown at a low (RT-500ºC) temperature by the ArF excimer laser-assisted MOCVD (La-MOCVD) using TMI and NH3. Photocatalytic activity of InN1-xOx film is experimentally studied for the first time. Decomposition rate of H2S is evaluated as a photocatalytic activity of InN1-xOx film. We have found that films grown at a temperature in the range RT-200ºC have an excellent photocatalytic activity, which is better than those for the conventional In2O3 and TiO2. | |
| キーワード | （和） | 窒化酸化インジウム / 光MOCVD / アンモニア / ArFエキシマレーザ / 光触媒 / 硫化水素 / / |
| （英） | InN1-xOx / MOCVD / NH3 / photolysis / ArF excimer laser / H2S / photocatalyst / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 105, no. 394, CPM2005-163, pp. 9-12, 2005年11月. | |
| 資料番号 | CPM2005-163 | |
| 発行日 | 2005-11-05 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2005-163 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2005-11-11 - 2005-11-12 |
| 開催地（和） | 福井大学 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 薄膜プロセス・材料、一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2005-11-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ArFレーザ援用MOCVD法で作製したInN1-xOx薄膜によるH2Sの光触媒分解効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Photocatalytic H2S decomposition by InN1-xOx films grown by ArF laser-assisted MOCVD |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化酸化インジウム / InN1-xOx |
| キーワード(2)（和/英） | 光MOCVD / MOCVD |
| キーワード(3)（和/英） | アンモニア / NH3 |
| キーワード(4)（和/英） | ArFエキシマレーザ / photolysis |
| キーワード(5)（和/英） | 光触媒 / ArF excimer laser |
| キーワード(6)（和/英） | 硫化水素 / H2S |
| キーワード(7)（和/英） | / photocatalyst |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮西 正芳 / Masayoshi Miyanishi / ミヤニシ マサヨシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 尚也 / Naoya Takahashi / タカハシ ナオヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 福井工業高等専門学校 (略称： 福井高専) Fukui National College of Technology (略称： Fukui NCT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 隆弘 / Takahiro Kobayashi / コバヤシ タカヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高山 勝己 / Katsumi Takayama / タカヤマ カツミ |
| 第4著者 所属（和/英） | 福井工業高等専門学校 (略称： 福井高専) Fukui National College of Technology (略称： Fukui NCT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 南保 幸男 / Yukio Nambo / ナンボ ユキオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 日華化学株式会社 (略称： 日華化学) Nicca Chemical Corporation (略称： Nicca) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋本 明弘 / Akihiro Hashimoto / ハシモト アキヒロ |
| 第6著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 あきお / Akio Yamamoto / ヤマモト アキオ |
| 第7著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2005-11-12 09:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2005-163 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | no.394 |
| ページ範囲 | pp.9-12 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2005-11-05 (CPM) |
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