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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2005-12-09 15:40 GaInAsP/InP極微構造の低損傷形成による低電流歪補償量子細線DFBレーザ ○三浦幸治・タノーム プルームウォンロート・西本頼史・大平和哉（東工大）・八木英樹・丸山武男・荒井滋久（東工大/JST） エレソ技報アーカイブへのリンク：  LQE2005-122 |
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| 抄録 | （和） | EB露光、CH4/H2-RIE、及びOMVPEによる埋め込み再成長法を用いて作製したGaInAsP/InP長波長帯歪補償量子細線レーザについてご報告する。自然放出光強度の偏波異方性から、キャリヤの横方向量子閉じ込め効果が細線幅30-40nmと広い場合でも顕著であることを明らかにした。また、上述の作製法を用いて量子細線DFBレーザ (細線幅: 30nm、周期: 240nm) を作製した結果、室温連続動作条件において、1.55μm波長帯における低次元量子構造を用いた半導体レーザとして最小しきい値電流密度動作 (176A/cm2) を達成する共に、良好な単一モード動作(波長: 1542nm、 副モード抑圧比: 50dB)を達成した。 |
| （英） | A GaInAsP/InP long wavelength strain-compensated quantum-wire laser was fabricated by electron beam lithography, CH4/H2-reactive ion etching and organometallic vapor-phase-epitaxial regrowth. The observed polarization anisotropy of spontaneous emission was due to the lateral quantum confinement effect appeared even the wide wire-width (30-40nm). Quantum-wire DFB laser (wire-width of 30 nm, five stacked quantum wires) fabricated by mentioned process has shown the single mode operation (a sub -mode suppression ratio as high as 50 dB) at the lasing wavelength of 1542nm under the room-temperature continuous-wave condition. This Quantum-wire DFB laser has the lowest threshold current density operation (176A/cm2) comparing with other reported low dimensional quantum-well structure semiconductor lasers in the 1.55μm wavelength region. | |
| キーワード | （和） | 量子細線レーザ / DFBレーザ / GaInAsP/InP / 歪補償量子井戸 / CH4/H2-RIE / OMVPE再成長 / / |
| （英） | Quantum-Wire Laser / DFB laser / GaInAsP/InP / Strain-Compensated Quantum-Well / CH4/H2-RIE / OMVPE Regrowth / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 105, no. 455, LQE2005-122, pp. 41-44, 2005年12月. | |
| 資料番号 | LQE2005-122 | |
| 発行日 | 2005-12-02 (LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：LQE2005-122 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
| 開催期間 | 2005-12-09 - 2005-12-09 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 半導体レーザ関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | Semiconductor Lasers and Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2005-12-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaInAsP/InP極微構造の低損傷形成による低電流歪補償量子細線DFBレーザ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low-threshold Strain-Compensated Quantum-Wire DFB Lasers by low-damage fabrication processes of GaInAsP/InP ultra-fine structures |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子細線レーザ / Quantum-Wire Laser |
| キーワード(2)（和/英） | DFBレーザ / DFB laser |
| キーワード(3)（和/英） | GaInAsP/InP / GaInAsP/InP |
| キーワード(4)（和/英） | 歪補償量子井戸 / Strain-Compensated Quantum-Well |
| キーワード(5)（和/英） | CH4/H2-RIE / CH4/H2-RIE |
| キーワード(6)（和/英） | OMVPE再成長 / OMVPE Regrowth |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三浦 幸治 / Koji Miura / ミウラ コウジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technololgy (略称： Tokyo Inst. Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | タノーム プルームウォンロート / Dhanorm Plumwongrot / タノーム プルームウォンロート |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technololgy (略称： Tokyo Inst. Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西本 頼史 / Yoshifumi Nishimoto / ニシモト ヨシフミ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technololgy (略称： Tokyo Inst. Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大平 和哉 / Kazuya Ohira / オオヒラ カズヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technololgy (略称： Tokyo Inst. Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 八木 英樹 / Hideki Yagi / ヤギ ヒデキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大/JST) Tokyo Institute of Technololgy (略称： Tokyo Inst. Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 丸山 武男 / Takeo Maruyama / マルヤマ タケオ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大/JST) Tokyo Institute of Technololgy (略称： Tokyo Inst. Tech.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 荒井 滋久 / Shigehisa Arai / アライ シゲヒサ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大/JST) Tokyo Institute of Technololgy (略称： Tokyo Inst. Tech.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2005-12-09 15:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | LQE2005-122 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | no.455 |
| ページ範囲 | pp.41-44 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2005-12-02 (LQE) |
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