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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2005-12-16 11:40 電荷再利用型動的ボディ電位制御によるSOI-CMOSの高速化手法 ○北村雅之・飯島正章・濱田健司・沼 昌宏（神戸大）・野谷宏美・多田 章・前川繁登（ルネサステクノロジ） エレソ技報アーカイブへのリンク：  ICD2005-198 |
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| 抄録 | （和） | 本稿では，SOIデバイスの特徴を生かし，トランジスタのボディ電位を動的に制御することで，リーク電流を増加させずに高速化を行う手法を提案する．従来の動的ボディ電位制御手法には，複雑な制御回路やバイアス用電源の付加による面積増加，ボディ電位の遷移時間が長いといった問題が存在した．提案する電荷再利用型動的ボディ電位制御では，nMOSのバイアス印加にpMOSの電荷を利用することで，バイアス用電源を用いなくても高速なボディ電位制御が可能である．SPICEシミュレーションで提案手法を評価した結果，最大で20%遅延時間を短縮し，バイアス用電源を利用しなくても高速なボディ電位制御が可能であることを確認した． |
| （英） | In this paper, we propose a new technique in order to achieve speed up without increase in leakage current by using actively body-bias controlling technique. Conventional body-bias controlling techniques have some problems, such as very slow bias controlling operation and large area penalty. To solve this problem, we propose a Charge Recycling Actively Body-bias Controlled (CRABC) circuit on SOI which uses the charge kept in pMOS’s body for nMOS’s body-bias and controls the body voltage in short transition time using simple additional circuit. According to the SPICE simulation, we have confirmed that CRABC shortens delay time by 20 % and controls the body voltage within a few clocks. | |
| キーワード | （和） | 動的ボディ電位制御 / 電荷再利用 / PD-SOI / リーク電流 / / / / |
| （英） | Active Body-bias Controll / Charge Recycling / PD-SOI / leakage current / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 105, no. 476, ICD2005-198, pp. 37-42, 2005年12月. | |
| 資料番号 | ICD2005-198 | |
| 発行日 | 2005-12-09 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2005-198 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2005-12-15 - 2005-12-16 |
| 開催地（和） | 高知工科大 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 回路技術(一般、超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチュア) (オーガナイザ：西谷隆夫(高知工科大学)) |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2005-12-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 電荷再利用型動的ボディ電位制御によるSOI-CMOSの高速化手法 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Performance CMOS Circuit by using Charge Recycling Actively Body-bias Controlled SOI |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 動的ボディ電位制御 / Active Body-bias Controll |
| キーワード(2)（和/英） | 電荷再利用 / Charge Recycling |
| キーワード(3)（和/英） | PD-SOI / PD-SOI |
| キーワード(4)（和/英） | リーク電流 / leakage current |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 北村 雅之 / Masayuki Kitamura / キタムラ マサユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 神戸大学 (略称： 神戸大) Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 飯島 正章 / Masaaki Iijima / イイジマ マサアキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 神戸大学 (略称： 神戸大) Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 濱田 健司 / Kenji Hamada / ハマダ ケンジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 神戸大学 (略称： 神戸大) Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 沼 昌宏 / Masahiro Numa / ヌマ マサヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 神戸大学 (略称： 神戸大) Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野谷 宏美 / Hiromi Notani / ノタニ ヒロミ |
| 第5著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology (略称： Renesas) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 多田 章 / Akira Tada / タダ アキラ |
| 第6著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology (略称： Renesas) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前川 繁登 / Shigeto Maegawa / マエガワ シゲト |
| 第7著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology (略称： Renesas) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2005-12-16 11:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2005-198 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | no.476 |
| ページ範囲 | pp.37-42 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2005-12-09 (ICD) |
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