講演抄録/キーワード |
講演名 |
2005-12-22 16:10
新型光源への応用を目指した新しいグラファイトフィールドエミッタの開発 ○塩澤一史・山下 進・根尾陽一郎(静岡大)・岡田守弘(静岡大/新日鐵)・久米 博(静岡大/国立環境研)・知久典和・池戸智之(池戸電気)・高橋将文・橋口 原(香川大)・三村秀典(静岡大) エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2005-190 |
抄録 |
(和) |
新型光源への応用を目指し、新しいグラファイトフィールドエミッタと電子線透過膜を開発した。この光源は、フィールドエミッタ、電子線透過膜、ガスセルより構成される。グラファイトエミッタは、グラファイト基板を水素ガスでスパッタリングすることにより無数のナノ構造を形成して作製した。電子放出の閾値電界は約5V/umであり、13V/umでガス励起に十分な0.1mAの放射電流が得られた。電子線透過膜は、silicon-on-insulator (SOI)基板をドライエッチング及びウェットエッチングすることにより作製した。電子線透過部は1.5umのSi薄膜であり、27kVで約60%の電子線透過率が得られた。 |
(英) |
We have developed a novel graphite field emitter and an electron transparent thin film for the new light source consisting of a field emitter, an electron transparent thin film, and a gas cell. The novel graphite field emitter was fabricated by sputtering a graphite substrate with H2 and had a tremendous number of nanostructure-tips. An emission current of 0.1mA was obtained at an electric field of 13V/m with a turn-on field of 5V/m. The electron transparent film was fabricated by dry and wet etching processes of a silicon-on–insulator (SOI) substrate. The electron transparent part was a 1.5m-thickness Si thin film, and the electron transmittance was about 60% at an electron acceleration voltage of 27kV. |
キーワード |
(和) |
フィールドエミッタ / スパッタリング / SOI基板 / 電子線透過膜 / / / / |
(英) |
field emitter / sputtering / SOI substrate / electron transparent film / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 105, no. 498, ED2005-190, pp. 43-48, 2005年12月. |
資料番号 |
ED2005-190 |
発行日 |
2005-12-15 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2005-190 |