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講演抄録/キーワード
講演名 2005-12-22 16:10
新型光源への応用を目指した新しいグラファイトフィールドエミッタの開発
塩澤一史山下 進根尾陽一郎静岡大)・岡田守弘静岡大/新日鐵)・久米 博静岡大/国立環境研)・知久典和池戸智之池戸電気)・高橋将文橋口 原香川大)・三村秀典静岡大エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2005-190
抄録 (和) 新型光源への応用を目指し、新しいグラファイトフィールドエミッタと電子線透過膜を開発した。この光源は、フィールドエミッタ、電子線透過膜、ガスセルより構成される。グラファイトエミッタは、グラファイト基板を水素ガスでスパッタリングすることにより無数のナノ構造を形成して作製した。電子放出の閾値電界は約5V/umであり、13V/umでガス励起に十分な0.1mAの放射電流が得られた。電子線透過膜は、silicon-on-insulator (SOI)基板をドライエッチング及びウェットエッチングすることにより作製した。電子線透過部は1.5umのSi薄膜であり、27kVで約60%の電子線透過率が得られた。 
(英) We have developed a novel graphite field emitter and an electron transparent thin film for the new light source consisting of a field emitter, an electron transparent thin film, and a gas cell. The novel graphite field emitter was fabricated by sputtering a graphite substrate with H2 and had a tremendous number of nanostructure-tips. An emission current of 0.1mA was obtained at an electric field of 13V/m with a turn-on field of 5V/m. The electron transparent film was fabricated by dry and wet etching processes of a silicon-on–insulator (SOI) substrate. The electron transparent part was a 1.5m-thickness Si thin film, and the electron transmittance was about 60% at an electron acceleration voltage of 27kV.
キーワード (和) フィールドエミッタ / スパッタリング / SOI基板 / 電子線透過膜 / / / /  
(英) field emitter / sputtering / SOI substrate / electron transparent film / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 105, no. 498, ED2005-190, pp. 43-48, 2005年12月.
資料番号 ED2005-190 
発行日 2005-12-15 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2005-190

研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2005-12-22 - 2005-12-22 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英)  
テーマ(和) 電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2005-12-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 新型光源への応用を目指した新しいグラファイトフィールドエミッタの開発 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Development of a novel graphite field emitter for the new light source 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) フィールドエミッタ / field emitter  
キーワード(2)(和/英) スパッタリング / sputtering  
キーワード(3)(和/英) SOI基板 / SOI substrate  
キーワード(4)(和/英) 電子線透過膜 / electron transparent film  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 塩澤 一史 / Kazufumi Shiozawa / シオザワ カズフミ
第1著者 所属(和/英) 静岡大学電子工学研究所 (略称: 静岡大)
Research Institute of Electronics, Shizuoka University (略称: RIE. Shizuoka Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 山下 進 / Susumu Yamashita / ヤマシタ ススム
第2著者 所属(和/英) 静岡大学電子工学研究所 (略称: 静岡大)
Research Institute of Electronics, Shizuoka University (略称: RIE. Shizuoka Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 根尾 陽一郎 / Yoichiro Neo / ネオ ヨウイチロウ
第3著者 所属(和/英) 静岡大学電子工学研究所 (略称: 静岡大)
Research Institute of Electronics, Shizuoka University (略称: RIE. Shizuoka Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡田 守弘 / Morihiro Okada / オカダ モリヒロ
第4著者 所属(和/英) 新日本製鉄株式会社 (略称: 静岡大/新日鐵)
Nippon steel corporation (略称: Nippon steel co.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 久米 博 / Hiroshi Kume / クメ ヒロシ
第5著者 所属(和/英) 独立行政法人国立環境研究所 (略称: 静岡大/国立環境研)
National Institute for Environmental Studies (略称: NIES)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 知久 典和 / Norikazu Chikyu / チキュウ ノリカズ
第6著者 所属(和/英) 池戸電気工事株式会社 (略称: 池戸電気)
Ikedo Electric (略称: Ikedo Electric)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 池戸 智之 / Tomoyuki Ikedo / イケド トモユキ
第7著者 所属(和/英) 池戸電気工事株式会社 (略称: 池戸電気)
Ikedo Electric (略称: Ikedo Electric)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 高橋 将文 / Masafumi Takahashi / タカハシ マサフミ
第8著者 所属(和/英) 香川大学 (略称: 香川大)
Kagawa University (略称: Kagawa Univ.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 橋口 原 / Gen Hashiguchi / ハシグチ ゲン
第9著者 所属(和/英) 香川大学 (略称: 香川大)
Kagawa University (略称: Kagawa Univ.)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 三村 秀典 / Hidenori Mimura / ミムラ ヒデノリ
第10著者 所属(和/英) 静岡大学電子工学研究所 (略称: 静岡大)
Research Institute of Electronics, Shizuoka University (略称: RIE. Shizuoka Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2005-12-22 16:10:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2005-190 
巻番号(vol) vol.105 
号番号(no) no.498 
ページ範囲 pp.43-48 
ページ数
発行日 2005-12-15 (ED) 


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