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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2005-12-22 14:25 FEA制御のためのポリシリコンTFTの構造最適化 ○安室千晃・坂村祐一・長尾昌善・田上尚男・金丸正剛・伊藤順司（産総研） エレソ技報アーカイブへのリンク：  ED2005-186 |
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| 抄録 | （和） | 我々は，HfC被覆を施したシリコンフィールドエミッタアレイ(FEA)とそれを制御するポリシリコン薄膜トランジスタ(TFT)を一体化した「ポリシリコンTFT一体型HfC被覆FEA」を提案し，製作を行ってきた． 今回，これをフィールドエミッションディスプレイ(FED)に応用するため，TFTの構造の最適化を行った． FEDに用いるためにはソース・ドレイン間電圧耐性とTFTのOFF時のリーク電流が十分に低いことが求められる． これに対応するためにマルチゲート電極構造やLDD(Lightly Doped Drain)構造のTFTを試作し，評価を行った． これによりマルチゲート電極構造とLDD構造を組み合わせることで，低いOFF電流と耐圧特性を得られることが分かった． 得られた結果を基に，TFTに改良を加えたポリシリコンTFT一体型HfC被覆FEAを作製し評価したところ，TFTゲート電圧が完全OFF状態(Vg=0V)において，エミッション電流がサブnA以下で制御できることが分かった． |
| （英） | We have already proposed thin-film transistor (TFT) controlled field emitter arrays (FEAs) to improve uniformity of field emission display. The important features of the TFT for emission control are high withstand voltage, kink free, and low off leakage current. In this article, the structure of poly-Si TFT was optimized in the view point of controlling field emission current. The multi-gate structure, lightly-doped drain (LDD) structure, and their combination were tested. We found that the channel length should be more than 50 um for kink free characteristics and that the combination of multi-gate and LDD structure is effective for high withstand voltage and low off current. By using this optimized structure, the TFT-controlled FEA was fabricated and successfully operated. |
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| キーワード | （和） | 真空ナノエレクトロニクス / フィールドエミッションディスプレイ / フィールドエミッタアレイ / ポリシリコンTFT / / / / |
| （英） | Vacuum nano-electronics / field emission display / field emitter array / poly-Si TFT / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 105, no. 498, ED2005-186, pp. 21-26, 2005年12月. | |
| 資料番号 | ED2005-186 | |
| 発行日 | 2005-12-15 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2005-186 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2005-12-22 - 2005-12-22 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2005-12-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | FEA制御のためのポリシリコンTFTの構造最適化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Optimization of poly-Si TFT for controlling field emitter arrays |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 真空ナノエレクトロニクス / Vacuum nano-electronics |
| キーワード(2)（和/英） | フィールドエミッションディスプレイ / field emission display |
| キーワード(3)（和/英） | フィールドエミッタアレイ / field emitter array |
| キーワード(4)（和/英） | ポリシリコンTFT / poly-Si TFT |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安室 千晃 / Chiaki Yasumuro / ヤスムロ チアキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂村 祐一 / Yuuichi Sakamura / サカムラ ユウイチ |
| 第2著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長尾 昌善 / Masayoshi Nagao / ナガオ マサヨシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田上 尚男 / Hisao Tanoue / タノウエ ヒサオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金丸 正剛 / Seigo Kanemaru / カネマル セイゴウ |
| 第5著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 順司 / Junji Itoh / イトウ ジュンジ |
| 第6著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2005-12-22 14:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2005-186 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | no.498 |
| ページ範囲 | pp.21-26 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2005-12-15 (ED) |
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