講演抄録/キーワード |
講演名 |
2006-01-17 15:50
相変化不揮発性メモリの多値記憶方式と回路設計 ○泉 貴富・高田雅史・中山和也・北川章夫(金沢大) |
抄録 |
(和) |
相変化不揮発性メモリ(PRAM)における新しい多値化記憶の手法と回路を提案する.PRAMは,記憶素子としてカルコゲナイド半導体を用いる.私達はカルコゲナイド半導体としてSe15Sb15Te70を用いたメモリセルにおいて,電流パルスの印加回数に対し素子抵抗が段階的に変化することを実験的に確認した.その結果を用いて,8段階に素子抵抗が変化するメモリセル(3bit/cell)を仮定して0.35-umCMOSテクノロジーを用いて,3bit多値のメモリ回路を設計した.回路シミュレーションにて,1024×512のメモリセルアレイを仮定して読み出し時間が,50ns 最大書き込み時間が4.2usの結果を得た. |
(英) |
A novel multiple programming method for a phase change nonvolatile randamaccess memory(PRAM) is proposed. PRAM uses chalcogenide alloy for memory element. We have experimentally observed 8-valued resistance in the range of 41kΩ- 836Ω at the Se15Sb15Te70 discrete memory cell(3bit/cell) that controlled by the number of the applied current pulses. On the basis of this experimental results, the 8-valued memory circuit was designed with 0.35-um CMOS technology. It has been confirmed with a circuit simulation for 1024×512 cell array that read and write time are 50ns and 4.5us respectively at 3.3V supply voltage. |
キーワード |
(和) |
多値記憶 / PRAM / OUM / 相変化材料 / / / / |
(英) |
Multi-bit / PRAM / OUM / change material / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 105, no. 513, VLD2005-94, pp. 37-42, 2006年1月. |
資料番号 |
VLD2005-94 |
発行日 |
2006-01-10 (VLD, CPSY, RECONF) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
PDFダウンロード |
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研究会情報 |
研究会 |
RECONF CPSY VLD IPSJ-SLDM |
開催期間 |
2006-01-17 - 2006-01-18 |
開催地(和) |
慶應大学日吉キャンパス 来往舎 |
開催地(英) |
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テーマ(和) |
FPGAとその応用および一般 |
テーマ(英) |
FPGA and its Application, etc. |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
VLD |
会議コード |
2006-01-RECONF-CPSY-VLD-IPSJ-SLDM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
相変化不揮発性メモリの多値記憶方式と回路設計 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Multuiple Programming Method and Circuit Design for a Phase Change Nonvolatile Random Access Memory |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
多値記憶 / Multi-bit |
キーワード(2)(和/英) |
PRAM / PRAM |
キーワード(3)(和/英) |
OUM / OUM |
キーワード(4)(和/英) |
相変化材料 / change material |
キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
泉 貴富 / Takatomi Izumi / イズミ タカトミ |
第1著者 所属(和/英) |
金沢大学 (略称: 金沢大)
Kanazawa University (略称: Kanazawa Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
高田 雅史 / Masashi Takata / タカタ マサシ |
第2著者 所属(和/英) |
金沢大学 (略称: 金沢大)
Kanazawa University (略称: Kanazawa Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
中山 和也 / Kazuya Nakayama / ナカヤマ カズヤ |
第3著者 所属(和/英) |
金沢大学 (略称: 金沢大)
Kanazawa University (略称: Kanazawa Univ.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
北川 章夫 / Akio Kitagawa / キタガワ アキオ |
第4著者 所属(和/英) |
金沢大学 (略称: 金沢大)
Kanazawa University (略称: Kanazawa Univ.) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2006-01-17 15:50:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
VLD |
資料番号 |
VLD2005-94, CPSY2005-50, RECONF2005-83 |
巻番号(vol) |
vol.105 |
号番号(no) |
no.513(VLD), no.515(CPSY), no.517(RECONF) |
ページ範囲 |
pp.37-42 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2006-01-10 (VLD, CPSY, RECONF) |
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