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講演抄録/キーワード
講演名 2006-01-17 15:50
相変化不揮発性メモリの多値記憶方式と回路設計
泉 貴富高田雅史中山和也北川章夫金沢大
抄録 (和) 相変化不揮発性メモリ(PRAM)における新しい多値化記憶の手法と回路を提案する.PRAMは,記憶素子としてカルコゲナイド半導体を用いる.私達はカルコゲナイド半導体としてSe15Sb15Te70を用いたメモリセルにおいて,電流パルスの印加回数に対し素子抵抗が段階的に変化することを実験的に確認した.その結果を用いて,8段階に素子抵抗が変化するメモリセル(3bit/cell)を仮定して0.35-umCMOSテクノロジーを用いて,3bit多値のメモリ回路を設計した.回路シミュレーションにて,1024×512のメモリセルアレイを仮定して読み出し時間が,50ns 最大書き込み時間が4.2usの結果を得た. 
(英) A novel multiple programming method for a phase change nonvolatile randamaccess memory(PRAM) is proposed. PRAM uses chalcogenide alloy for memory element. We have experimentally observed 8-valued resistance in the range of 41kΩ- 836Ω at the Se15Sb15Te70 discrete memory cell(3bit/cell) that controlled by the number of the applied current pulses. On the basis of this experimental results, the 8-valued memory circuit was designed with 0.35-um CMOS technology. It has been confirmed with a circuit simulation for 1024×512 cell array that read and write time are 50ns and 4.5us respectively at 3.3V supply voltage.
キーワード (和) 多値記憶 / PRAM / OUM / 相変化材料 / / / /  
(英) Multi-bit / PRAM / OUM / change material / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 105, no. 513, VLD2005-94, pp. 37-42, 2006年1月.
資料番号 VLD2005-94 
発行日 2006-01-10 (VLD, CPSY, RECONF) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685
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研究会情報
研究会 RECONF CPSY VLD IPSJ-SLDM  
開催期間 2006-01-17 - 2006-01-18 
開催地(和) 慶應大学日吉キャンパス 来往舎 
開催地(英)  
テーマ(和) FPGAとその応用および一般 
テーマ(英) FPGA and its Application, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 VLD 
会議コード 2006-01-RECONF-CPSY-VLD-IPSJ-SLDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 相変化不揮発性メモリの多値記憶方式と回路設計 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Multuiple Programming Method and Circuit Design for a Phase Change Nonvolatile Random Access Memory 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 多値記憶 / Multi-bit  
キーワード(2)(和/英) PRAM / PRAM  
キーワード(3)(和/英) OUM / OUM  
キーワード(4)(和/英) 相変化材料 / change material  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 泉 貴富 / Takatomi Izumi / イズミ タカトミ
第1著者 所属(和/英) 金沢大学 (略称: 金沢大)
Kanazawa University (略称: Kanazawa Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 高田 雅史 / Masashi Takata / タカタ マサシ
第2著者 所属(和/英) 金沢大学 (略称: 金沢大)
Kanazawa University (略称: Kanazawa Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 中山 和也 / Kazuya Nakayama / ナカヤマ カズヤ
第3著者 所属(和/英) 金沢大学 (略称: 金沢大)
Kanazawa University (略称: Kanazawa Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 北川 章夫 / Akio Kitagawa / キタガワ アキオ
第4著者 所属(和/英) 金沢大学 (略称: 金沢大)
Kanazawa University (略称: Kanazawa Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2006-01-17 15:50:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 VLD 
資料番号 VLD2005-94, CPSY2005-50, RECONF2005-83 
巻番号(vol) vol.105 
号番号(no) no.513(VLD), no.515(CPSY), no.517(RECONF) 
ページ範囲 pp.37-42 
ページ数
発行日 2006-01-10 (VLD, CPSY, RECONF) 


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