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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2006-01-19 13:20 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFET ○出口忠義・脇 英司・小野 悟・山下明一・鎌田 厚・中川 敦（新日本無線）・石川博康・江川孝志（名工大） エレソ技報アーカイブへのリンク：  ED2005-203 MW2005-157 |
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| 抄録 | （和） | 半絶縁性の低温成長GaN(LT-GaN)キャップ層を有するAlGaN/GaN へテロ接合トランジスタ(LT-GaN/AlGaN/GaN HFET)は、LT-GaNキャップ層がゲート絶縁膜とパッシベーション膜の役割を担うため、従来のAlGaN/GaN HFETに比べてゲートリーク電流が低減し、電流コラプスが抑制される。このLT-GaN/AlGaN/GaN HFETのオーミック特性は、半絶縁性のLT-GaN層上にもかかわらず従来のAlGaN/GaN HFETよりも良好であった。オーミック電極直下を断面TEM観察した結果、電極材料がGaNチャネル層まで拡散しているためと分かった。このLT-GaN/AlGaN/GaN HFETは、短ゲートパルス(200ns)印加測定においても電流コラプスが抑制されることが確認された。また、ゲート長0.5μmのLT-GaN/AlGaN/GaN HFETのRF小信号特性は、fT=21GHz, fmax=52GHzと良好な値が得られた。 |
| （英） | AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors (HFETs) with a highly resistive, low-temperature GaN (LT-GaN) cap layer (LT-GaN/AlGaN/GaN HFETs) reduce gate leakage current and suppress current collapse because the cap layer serves as a gate insulator and passivates the surface of the HFET. LT-GaN/AlGaN/GaN HFETs exhibit lower ohmic contact resistance compared with conventional AlGaN/GaN HFETs. We investigated the mechanism by which the LT-cap layer reduces ohmic contact resistance by using TEM analysis. We found that the reduced ohmic contact resistance is dominated by the electrode materials diffusing into the GaN channel layer. The current collapse was suppressed in the LT-GaN/AlGaN/GaN HFETs even under pulse-mode gate stress with short pulses of 200 ns. The fT and fmax were estimated to be as high as 21 and 52 GHz, respectively, for the 0.5-μm gate HFETs. | |
| キーワード | （和） | AlGaN/GaN / LT-GaN / HFET / オーミック接触抵抗 / TEM / 電流コラプス / / |
| （英） | AlGaN/GaN / LT-GaN / HFET / ohmic contact resistance / TEM / current collapse / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 105, no. 521, ED2005-203, pp. 23-27, 2006年1月. | |
| 資料番号 | ED2005-203 | |
| 発行日 | 2006-01-12 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2005-203 MW2005-157 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED MW |
| 開催期間 | 2006-01-18 - 2006-01-20 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor IC and High-Speed, High-Frequency Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2006-01-ED-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFET |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | AlGaN/GaN HFETs with a low-temperature GaN cap layer |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN / AlGaN/GaN |
| キーワード(2)（和/英） | LT-GaN / LT-GaN |
| キーワード(3)（和/英） | HFET / HFET |
| キーワード(4)（和/英） | オーミック接触抵抗 / ohmic contact resistance |
| キーワード(5)（和/英） | TEM / TEM |
| キーワード(6)（和/英） | 電流コラプス / current collapse |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 出口 忠義 / Tadayoshi Deguchi / |
| 第1著者 所属（和/英） | 新日本無線株式会社 (略称： 新日本無線) New Japan Radio Co.,Ltd. (略称： New Japan Radio) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 脇 英司 / Eiji Waki / |
| 第2著者 所属（和/英） | 新日本無線株式会社 (略称： 新日本無線) New Japan Radio Co.,Ltd. (略称： New Japan Radio) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小野 悟 / Satoru Ono / |
| 第3著者 所属（和/英） | 新日本無線株式会社 (略称： 新日本無線) New Japan Radio Co.,Ltd. (略称： New Japan Radio) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山下 明一 / Meiichi Yamashita / |
| 第4著者 所属（和/英） | 新日本無線株式会社 (略称： 新日本無線) New Japan Radio Co.,Ltd. (略称： New Japan Radio) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鎌田 厚 / Atsushi Kamada / |
| 第5著者 所属（和/英） | 新日本無線株式会社 (略称： 新日本無線) New Japan Radio Co.,Ltd. (略称： New Japan Radio) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中川 敦 / Atsushi Nakagawa / |
| 第6著者 所属（和/英） | 新日本無線株式会社 (略称： 新日本無線) New Japan Radio Co.,Ltd. (略称： New Japan Radio) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 博康 / Hiroyasu Ishikawa / |
| 第7著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Institute of Technology) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江川 孝志 / Takashi Egawa / |
| 第8著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Institute of Technology) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2006-01-19 13:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2005-203, MW2005-157 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | no.521(ED), no.524(MW) |
| ページ範囲 | pp.23-27 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2006-01-12 (ED, MW) |
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