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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2006-01-26 13:55 多重ドットSi単電子トランジスタにおける周期的なクーロン振動 ○大倉健作（広島大）・北出哲也（ローム）・中島安理（広島大） エレソ技報アーカイブへのリンク：  ED2005-225 SDM2005-237 |
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| 抄録 | （和） | 単電子トランジスタ(SET)は超低消費電力を実現する次世代のデバイスとして期待されている。特にSi SETは現在までに蓄積したSi集積化技術の実績を利用できるメリットを持っている。しかしながら現状では室温で安定的なSET動作を実現する事は容易ではない。そこで我々は高温動作の点で有利と考えられる、多重ドットをもつSi SETを作製し電気特性を調べた。特にゲート電圧に対して周期的なドレイン電流(クーロン振動)を示したものに注目して、得られた結果を報告する。作製したドットにはある程度のばらつきあると考えられるにもかかわらず周期的な振動が得られた理由とその物理的な解釈についても報告する。 |
| （英） | Single-electron transistors (SETs) utilizing the Coulomb blockade effect are promising candidates for use as basic elements of future low-power integrated circuits. The use of Si for their construction is important because of Si’s compatibility with conventional fabrication techniques for large-scale integrated devices. However, it seems difficult to fabricate SETs that can be operated at room temperature reproducibly by using currently available fabrication techniques. One way to overcome the difficulty is to utilize serially connected islands instead of a single island. We fabricated highly doped Si SETs with a series of geometrically defined islands and measured those electric characteristics. Despite their island size variation, some of SETs showed clear periodic and quasiperiodic Coulomb oscillations. This is in contrast to the conventional idea that only geometrically uniform islands show periodic Coulomb oscillations. In this study, focusing on the obtained periodic Coulomb oscillations, we investigated the reason of the periodic characteristics, and presented the physical picture of conduction mechanism. | |
| キーワード | （和） | 単電子トランジスタ / Si / クーロン振動 / クーロンブッロッケード / / / / |
| （英） | Single-electron transistor / SET / Si / Coulomb oscillation / Coulomb blockade / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 105, no. 549, ED2005-225, pp. 7-11, 2006年1月. | |
| 資料番号 | ED2005-225 | |
| 発行日 | 2006-01-19 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2005-225 SDM2005-237 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2006-01-26 - 2006-01-27 |
| 開催地（和） | 北海道大学 百年記念会館 大会議室 |
| 開催地（英） | Hokkaido Univ. |
| テーマ（和） | 量子効果デバイス及び関連技術 |
| テーマ（英） | - |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2006-01-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 多重ドットSi単電子トランジスタにおける周期的なクーロン振動 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Periodic Coulomb oscillation in Si single-eletron transistor based on multiple islands |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 単電子トランジスタ / Single-electron transistor |
| キーワード(2)（和/英） | Si / SET |
| キーワード(3)（和/英） | クーロン振動 / Si |
| キーワード(4)（和/英） | クーロンブッロッケード / Coulomb oscillation |
| キーワード(5)（和/英） | / Coulomb blockade |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大倉 健作 / Kensaku Ohkura / オオクラ ケンサク |
| 第1著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 北出 哲也 / Tetsuya Kitade / キタデ テツヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | ローム株式会社 (略称： ローム) ROHM CO., LTD. (略称： ROHM) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中島 安理 / Anri Nakajima / ナカジマ アンリ |
| 第3著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2006-01-26 13:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2005-225, SDM2005-237 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | no.549(ED), no.551(SDM) |
| ページ範囲 | pp.7-11 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2006-01-19 (ED, SDM) |
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