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講演抄録/キーワード
講演名 2006-05-19 11:40
非晶質Asマスクを用いたInの部分拡散によるGaInAs/GaAs構造の選択形成
則竹陽介山田 巧田渕雅夫竹田美和名大エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2006-35 CPM2006-22 SDM2006-35
抄録 (和) 本研究では非晶質Asマスクを用いて化合物半導体におけるヘテロ/量子構造デバイスの作製・集積を可能にする新しい真空一貫形成プロセスの確立を目的とした.具体的には,1)GaAs層上にマスクとして非晶質As膜を堆積し,電子線描画によってパターン形成を行い,2)マスク上に金属Inを堆積後,加熱によってGaAs中へのInの拡散とAs膜の昇華に伴うInのリフトオフを行う.このプロセスによってGaAs表面にパターンを持ったGaInAs層を形成することができる.本報告では,このプロセスに適した非晶質As膜の作製,電子線描画によるパターン形成,Inの拡散と非晶質Asマスクによるリフトオフの可能性について述べる. 
(英) To form patterned GaInAs/GaAs hetero-structures, we propose a new formation process using amorphous As as a mask. The process consists of five stages. 1) GaAs layer is grown on GaAs substrate at a lower temperature about 480℃. The low-temperature-grown layer enhances In diffusion on the 5th stage. 2) Amorphous As layer is deposited on the GaAs layer as a mask layer. 3) Designed patterns are drawn on the amorphous As mask using electron beam(EB) lithography. 4) Metallic In is deposited on the patterned amorphous As mask. 5) The sample is annealed for two purposes: one is to re-evaporate the amorphous As mask with metallic In on it and the other is to diffuse In into the GaAs layer. Then, the patterned GaInAs/GaAs hetero-structures are fabricated. In the process, the advantage to use the amorphous As mask is two-fold, i.e., the mask is easily deposited in normal MBE chamber and is removed by only heating it at an appropriate temperature (300~350℃), all in situ.
キーワード (和) 非晶質As / 真空一貫プロセス / ヘテロ構造 / 分子線エピタキシー / GaInAs/GaAs / / /  
(英) amorphous arsenic / UHV process / hetero-structure / molecular beam epitaxy / GaInAs/GaAs / / /  
文献情報 信学技報, vol. 106, no. 46, CPM2006-22, pp. 85-90, 2006年5月.
資料番号 CPM2006-22 
発行日 2006-05-11 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2006-35 CPM2006-22 SDM2006-35

研究会情報
研究会 ED CPM SDM  
開催期間 2006-05-18 - 2006-05-19 
開催地(和) 豊橋技術科学大学VBL 
開催地(英) VBL, Toyohashi University of Technology 
テーマ(和) 結晶成長評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、その他の電子材料) 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2006-05-ED-CPM-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 非晶質Asマスクを用いたInの部分拡散によるGaInAs/GaAs構造の選択形成 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Fabrication of patterned GaInAs/GaAs hetero-structure using amorphous arsenic mask 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 非晶質As / amorphous arsenic  
キーワード(2)(和/英) 真空一貫プロセス / UHV process  
キーワード(3)(和/英) ヘテロ構造 / hetero-structure  
キーワード(4)(和/英) 分子線エピタキシー / molecular beam epitaxy  
キーワード(5)(和/英) GaInAs/GaAs / GaInAs/GaAs  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 則竹 陽介 / Yosuke Noritake / ノリタケ ヨウスケ
第1著者 所属(和/英) 名古屋大学大学院工学研究科 (略称: 名大)
Department of Materials Science and Engineering, Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 山田 巧 / Takumi Yamada / ヤマダ タクミ
第2著者 所属(和/英) 名古屋大学大学院工学研究科 (略称: 名大)
Department of Materials Science and Engineering, Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 田渕 雅夫 / Masao Tabuchi / タブチ マサオ
第3著者 所属(和/英) 名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー (略称: 名大)
Venture Business Laboratory, Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹田 美和 / Yoshikazu Takeda / タケダ ヨシカズ
第4著者 所属(和/英) 名古屋大学大学院工学研究科 (略称: 名大)
Department of Crystalline Materials Science, Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2006-05-19 11:40:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 ED2006-35, CPM2006-22, SDM2006-35 
巻番号(vol) vol.106 
号番号(no) no.45(ED), no.46(CPM), no.47(SDM) 
ページ範囲 pp.85-90 
ページ数
発行日 2006-05-11 (ED, CPM, SDM) 


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