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| 講演名 | 2006-05-19 14:00 過剰キャリア減衰曲線に現れる遅い成分の温度依存性からのトラップパラメータの導出 ○市村正也（名工大） エレソ技報アーカイブへのリンク：  ED2006-38 CPM2006-25 SDM2006-38 |
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| 抄録 | （和） | 光導電減衰法によるキャリアライフタイム測定では、過剰キャリア密度減衰曲線の後半部分に遅い成分が顕著に表れることがある。これは多くの場合、少数キャリアが少数キャリアトラップに捕獲され、一方過剰多数キャリアがそのトラップに捕獲されずバンドに残るために生ずる。温度を変化させてこの遅い減衰成分の挙動を測定することで、原因となっているトラップの特性を評価することが原理的に可能である。ただし、トラップが中性領域にありキャリアの捕獲、放出の両方が同時に生じるため、過渡容量特性測定などと比べより複雑で注意深い解析・考察が必要になる。本論文では4H-SiCを例に取り、４つの典型的な場合を設定して過剰キャリア減衰の数値計算を行い、減衰曲線からトラップの特性を導く方法を考察する。 |
| （英） | In the photoconductivity decay measurement, a slow component is often observed, especially for wide-bandgap materials, e.g., SiC and GaN. This slow component is thought to be due to minority carrier traps: excited minority carriers are captured by the traps, and excess majority carriers remain in the band. From temperature dependence of the slow component, it is in principle possible to estimate trap properties. However, the necessary analysis is not simple, because both capture and emission processes should be taken into account, in contrast to the transient capacitance measurement (such as deep level transient spectroscopy), where the pure emission process can be observed. In this paper, excess carrier decay curves are calculated for four typical cases, taking 4H-SiC as an example, and it is discussed how the trap properties can be deduced from the decay curves. | |
| キーワード | （和） | キャリアライフタイム / 少数キャリアトラップ / 温度依存性 / / / / / |
| （英） | carrier lifetime / minority carrier trap / temperature dependence / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 106, no. 45, ED2006-38, pp. 101-106, 2006年5月. | |
| 資料番号 | ED2006-38 | |
| 発行日 | 2006-05-11 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2006-38 CPM2006-25 SDM2006-38 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED CPM SDM |
| 開催期間 | 2006-05-18 - 2006-05-19 |
| 開催地（和） | 豊橋技術科学大学ＶＢＬ |
| 開催地（英） | VBL, Toyohashi University of Technology |
| テーマ（和） | 結晶成長評価及びデバイス（化合物、Si、SiGe、その他の電子材料） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2006-05-ED-CPM-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 過剰キャリア減衰曲線に現れる遅い成分の温度依存性からのトラップパラメータの導出 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Estimation of trap parameters from a slow component of excess carrier decay curves |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | キャリアライフタイム / carrier lifetime |
| キーワード(2)（和/英） | 少数キャリアトラップ / minority carrier trap |
| キーワード(3)（和/英） | 温度依存性 / temperature dependence |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 市村 正也 / Masaya Ichimura / イチムラ マサヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. Technol.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2006-05-19 14:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2006-38, CPM2006-25, SDM2006-38 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | no.45(ED), no.46(CPM), no.47(SDM) |
| ページ範囲 | pp.101-106 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2006-05-11 (ED, CPM, SDM) |
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