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| 講演名 |
2007-05-25 11:20
ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価
○加藤正史・三鴨一輝・市村正也（名工大）・兼近将一・石黒 修・加地 徹（豊田中研） エレソ技報アーカイブはこちら |
| 抄録 |
（和） |
GaNは大電力半導体素子への応用が期待される半導体材料であり、GaNの大電力素子を作製する上でエッチングプロセスは必要不可欠である．本研究ではGaNに対するプラズマエッチングの影響をショットキーダイオードの電気的測定により評価した．その手法として電流－電圧測定，容量－電圧測定，DLTS測定およびフォトキャパシタンス測定を用いた．その結果，p型GaNとn型GaNのどちらにおいてもプラズマエッチングにより伝導帯から0.25eV付近のエネルギー位置に深い準位が形成されることがわかった．この準位は窒素空孔に起因するものだと考えられ，低いパワーでのエッチングによりこの準位の導入が抑制されることがわかった． |
| （英） |
Gallium Nitride (GaN) is a promising semiconductor material for high-power devices. For realization of the high-power devices, formation of p-type layer and plasma etching process are essential. In this work, we characterize plasma etching effects to p-type GaN using Schottky diodes. We employed current-voltage, capacitance-voltage, deep level transient spectroscopy and photocapacitance measurements. As a result, we observed a deep level located at Ec-0.25 eV in both n-type and p-type GaN. It is considered that this level corresponds to a deep level introduced by nitrogen vacancy and low-power plasma etching is effective to reduce introduction of this level. |
| キーワード |
（和） |
GaN / プラズマエッチング / ショットきーダイオード / DLTS / フォトキャパシタンス / / / |
| （英） |
GaN / plasma etching / Schottky diode / DLTS / photocapacitance / / / |
| 文献情報 |
信学技報 |
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