講演抄録/キーワード |
講演名 |
2007-06-08 14:40
ゲルマニウム窒化膜の形成と評価 ○朽木克博・岡本 学・細井卓治・志村考功・安武 潔・渡部平司(阪大) SDM2007-49 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2007-49 |
抄録 |
(和) |
高密度プラズマによるGe基板の窒化を行い、アモルファス純窒化膜(Ge$_3$N$_4$)の形成に成功した。350 $^o$Cでプラズマ窒化することにより、表面は平滑であり、非常に急峻な界面を持つ3.5 nmの窒化膜を得た。さらに、我々はGe$_3$N$_4$膜を絶縁膜として、またhigh-k膜との界面層としての応用を目指すうえで、プロセス温度設定に必要となる窒化膜の熱分解温度を調べた。その結果、窒素雰囲気中でアニールすると、550 $^o$Cまでは窒化膜は安定であり、600 $^o$C以上で熱脱離することが確認できた。この結果からGe$_3$N$_4$膜の高い耐熱性が確認でき、Ge-MOSデバイス実現に向けて重要な知見を得ることができた。 |
(英) |
We have investigated the nitridation of germanium substrate by our original high-density plasma source. Pure amorphous Ge$_3$N$_4$ layers without oxygen are obtained by the direct nitridation of clean Ge substrates. The conformal growth with smooth surface and sharp interface can be achieved in the Ge$_3$N$_4$ layers grown at 350 $^o$C, where the thickness of the Ge$_3$N$_4$ layers is 3.5 nm. In addition, in order to apply this Ge nitride to integrate high-k gate dielectrics with Ge and its alloy for FET-based devices, we have also investigated the thermal stability of the Ge nitride layers. As a result, we found that Ge$_3$N$_4$ layers resisted in N2 ambient around 550 $^o$C, and evaporated above 600 $^o$C. These results demonstrate that it is promising as a passivation layer for integrating high-k dielectric on high performance Ge substrate and is expected to shed light on the realization of Ge-based FETs. |
キーワード |
(和) |
Ge$_3$N$_4$ / プラズマ窒化 / 熱安定性 / / / / / |
(英) |
Ge$_3$N$_4$ / Plasma Nitridation / Thermal Stability / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 85, SDM2007-49, pp. 97-100, 2007年6月. |
資料番号 |
SDM2007-49 |
発行日 |
2007-05-31 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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