| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2007-06-25 13:00
［招待講演］AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications
○Yasuhiro Uemoto・Masahiro Hikita・Hiroaki Ueno・Tomohiro Murata・Hisayoshi Matsuo・Hidetoshi Ishida・Manabu Yanagihara・Tetsuzo Ueda・Tsuyoshi Tanaka・Daisuke Ueda（Matsushita） エレソ技報アーカイブはこちら |
| 抄録 |
（和） |
従来の方法では実現困難であったノーマリオフ化と低オン抵抗化を両立させる為に、ホール注入による伝導度変調を用いた新しい原理に基づいて動作するGaNパワートランジスタ（Gate Injection Transistor : GIT）を開発した。また、デバイスゲート端での局所発熱を放散させる為に新規にAlNパッシベーション技術を開発した。GITはAlGaN/GaN FETのゲート部に形成したp型ゲートによりゲート直下のチャネル部の電位を持ち上げて電子を枯渇させノーマリオフ特性を実現する。さらにp型ゲートからチャネル部へホール注入させることによりチャネル部の伝導度を変調させてチャネル抵抗を低減させる。これらによりノーマリオフかつ低オン抵抗なGaNトランジスタを実現可能にした。Si基板上に作製したGITはしきい値が+1.0Vと良好なノーマリオフ特性を示し、最大ドレイン電流200mA/mm、オン抵抗2.6mΩcm2、耐圧640Vを得た。 |
| （英） |
Recently developed normally-off transistor named GIT (Gate Injection Transistor) and novel passivation technique using poly-AlN to uniform the surface temperature will be reviewed. We have developed a normally-off AlGaN/GaN transistor using conductivity modulation named GIT (Gate Injection Transistor). This new device principle utilizes hole-injection from p-AlGaN to AlGaN/GaN hetero-junction which increases electron density in the depleted channel resulting in dramatic increase of the drain current owing to the conductivity modulation. The fabricated GIT on Si substrate exhibits the threshold voltage of +1.0V with high maximum drain current of 200mA/mm. The obtained on-state resistance and off-state breakdown voltage are 2.6mohm•cm2 and 640V, respectively. |
| キーワード |
（和） |
ＧａＮ / Ｓｉ基板 / ノーマリオフ / ホール注入 / パワーデバイス / / / |
| （英） |
GaN / Si substrate / normally-off / hole injection / power device / / / |
| 文献情報 |
信学技報 |
| 資料番号 |
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| 発行日 |
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| ISSN |
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| PDFダウンロード |
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| 研究会情報 |
| 研究会 |
ED SDM |
| 開催期間 |
2007-06-25 - 2007-06-27 |
| 開催地（和） |
Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州， 韓国 |
| 開催地（英） |
Commodore Hotel Gyeongju Chosun, Gyeongju, Korea |
| テーマ（和） |
第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ |
| テーマ（英） |
2007 Asia-Pacific Workshopn on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2007) |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
ED |
| 会議コード |
2007-06-ED-SDM |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications |
| サブタイトル（和） |
* |
| タイトル（英） |
AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications |
| サブタイトル（英） |
* |
| キーワード(1)（和/英） |
ＧａＮ / GaN |
| キーワード(2)（和/英） |
Ｓｉ基板 / Si substrate |
| キーワード(3)（和/英） |
ノーマリオフ / normally-off |
| キーワード(4)（和/英） |
ホール注入 / hole injection |
| キーワード(5)（和/英） |
パワーデバイス / power device |
| キーワード(6)（和/英） |
/ |
| キーワード(7)（和/英） |
/ |
| キーワード(8)（和/英） |
/ |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
Yasuhiro Uemoto / Yasuhiro Uemoto / |
| 第1著者 所属（和/英） |
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., (略称： Matsushita)
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., (略称： Matsushita) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
Masahiro Hikita / Masahiro Hikita / |
| 第2著者 所属（和/英） |
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., (略称： Matsushita)
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., (略称： Matsushita) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
Hiroaki Ueno / Hiroaki Ueno / |
| 第3著者 所属（和/英） |
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., (略称： Matsushita)
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., (略称： Matsushita) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
Tomohiro Murata / Tomohiro Murata / |
| 第4著者 所属（和/英） |
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., (略称： Matsushita)
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., (略称： Matsushita) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
Hisayoshi Matsuo / Hisayoshi Matsuo / |
| 第5著者 所属（和/英） |
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., (略称： Matsushita)
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., (略称： Matsushita) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） |
Hidetoshi Ishida / Hidetoshi Ishida / |
| 第6著者 所属（和/英） |
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., (略称： Matsushita)
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., (略称： Matsushita) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） |
Manabu Yanagihara / Manabu Yanagihara / |
| 第7著者 所属（和/英） |
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., (略称： Matsushita)
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., (略称： Matsushita) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） |
Tetsuzo Ueda / Tetsuzo Ueda / |
| 第8著者 所属（和/英） |
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., (略称： Matsushita)
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., (略称： Matsushita) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） |
Tsuyoshi Tanaka / Tsuyoshi Tanaka / |
| 第9著者 所属（和/英） |
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., (略称： Matsushita)
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., (略称： Matsushita) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） |
Daisuke Ueda / Daisuke Ueda / |
| 第10著者 所属（和/英） |
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., (略称： Matsushita)
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., (略称： Matsushita) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第11著者 所属（和/英） |
(略称： )
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| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第12著者 所属（和/英） |
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| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第13著者 所属（和/英） |
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| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第14著者 所属（和/英） |
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| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第15著者 所属（和/英） |
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| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第16著者 所属（和/英） |
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| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第17著者 所属（和/英） |
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| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第18著者 所属（和/英） |
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| 第19著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第19著者 所属（和/英） |
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| 第20著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第20著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2007-06-25 13:00:00 |
| 発表時間 |
分 |
| 申込先研究会 |
ED |
| 資料番号 |
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| 巻番号（vol） |
vol. |
| 号番号（no） |
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| ページ範囲 |
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| ページ数 |
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| 発行日 |
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