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講演抄録/キーワード
講演名 2007-06-25 15:55
Analysis of plasma etching damages in GaN by excess carrier lifetime measurements
Masashi KatoKeisuke FukushimaMasaya IchimuraNagoya Inst. of Tech.)・Masakazu KanechikaOsamu IshiguroTetsu KachiToyota Central R&D Labs.)   エレソ技報アーカイブはこちら
抄録 (和) 窒化ガリウム(GaN)は高出力,高周波デバイスへの応用が期待されており,GaNのバイポーラデバイスプロセスにおいてエッチング工程は不可欠である.GaNのエッチング技術としてプラズマエッチングの1つであるICP(Inductively coupled plasma)エッチングは有効であるが,試料表面にダメージ層を形成することがわかっている.本研究ではICPエッチング処理を施したGaNに対し,マイクロ波光導電減衰(μ-PCD)法により過剰キャリアライフタイムを測定した.減衰曲線の温度依存特性を測定することでICPエッチングダメージが導入する欠陥準位の特性を評価した.そしてさらにICPエッチングされたGaNの過剰キャリアライフタイムに対するアニールの効果を議論した. 
(英) Gallium nitride (GaN) is a promising material for high power and high frequency devices, and the etching processes are necessary in bipolar device fabrication. Inductively coupled plasma (ICP) etching is one of the plasma etching technique which forms damaged layer on surface of GaN. In this work, we have measured the excess carrier lifetime in ICP etched GaN with the microwave photoconductivity decay (-PCD) method. We analyzed deep levels introduced by ICP etching by measuring temperature dependence of decay curves. We also discussed about effects of annealing by observing the excess carrier lifetime.
キーワード (和) 窒化ガリウム / キャリアライフタイム / μ-PCD法 / プラズマエッチング / 温度依存 / アニール / /  
(英) Gallium nitride / carrier lifetime / micro-PCD method / temperature dependence / annealing / plasma etching / /  
文献情報 信学技報
資料番号  
発行日  
ISSN  
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研究会情報
研究会 ED SDM  
開催期間 2007-06-25 - 2007-06-27 
開催地(和) Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州, 韓国 
開催地(英) Commodore Hotel Gyeongju Chosun, Gyeongju, Korea 
テーマ(和) 第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ 
テーマ(英) 2007 Asia-Pacific Workshopn on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2007) 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2007-06-ED-SDM 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Analysis of plasma etching damages in GaN by excess carrier lifetime measurements 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 窒化ガリウム / Gallium nitride  
キーワード(2)(和/英) キャリアライフタイム / carrier lifetime  
キーワード(3)(和/英) μ-PCD法 / micro-PCD method  
キーワード(4)(和/英) プラズマエッチング / temperature dependence  
キーワード(5)(和/英) 温度依存 / annealing  
キーワード(6)(和/英) アニール / plasma etching  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 正史 / Masashi Kato / カトウ マサシ
第1著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 福島 圭亮 / Keisuke Fukushima / フクシマ ケイスケ
第2著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. of Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 市村 正也 / Masaya Ichimura / イチムラ マサヤ
第3著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. of Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 兼近 将一 / Masakazu Kanechika / カネチカ マサカズ
第4著者 所属(和/英) 豊田中央研究所 (略称: 豊田中研)
Toyota Central R&D Laboratories Inc. (略称: Toyota Central R&D Labs.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 石黒 修 / Osamu Ishiguro / イシグロ オサム
第5著者 所属(和/英) 豊田中央研究所 (略称: 豊田中研)
Toyota Central R&D Laboratories Inc. (略称: Toyota Central R&D Labs.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 加地 徹 / Tetsu Kachi / カチ テツ
第6著者 所属(和/英) 豊田中央研究所 (略称: 豊田中研)
Toyota Central R&D Laboratories Inc. (略称: Toyota Central R&D Labs.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2007-06-25 15:55:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号  
巻番号(vol) vol. 
号番号(no)  
ページ範囲  
ページ数  
発行日  


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