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講演抄録/キーワード
講演名 2007-10-11 13:30
単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光
金田昭男京大/JST)・金井聡庸京大)・船戸 充川上養一京大/JST)・菊池昭彦岸野克己上智大/JSTED2007-157 CPM2007-83 LQE2007-58 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2007-157 CPM2007-83 LQE2007-58
抄録 (和) c面サファイア基板上に成長したInGaN/GaNナノコラムを、基板表面に微小ミラー構造を作製したSi基板上に分散させることで、単一InGaN/GaNナノコラムの顕微発光測定、顕微時間分解発光測定を行った。その結果、10本程度の線幅の狭い発光スペクトルを観測した。また、励起光強度を2桁上昇させても、発光ピーク位置は変化しなかった。さらに発光再結合寿命は、c面InGaN量子井戸に比べ2桁以上も早い値を持つことが分かった。以上のことから、InGaN/GaNナノコラムにおいては、内部電界の影響が少なく、さらにナノコラム内に微小な局在発光中心が形成されていることが分かった。 
(英) The micro photoluminescence (PL) and micro time-resolved PL spectroscopy have been performed on a single InGaN/GaN nanocolumn structure grown by nitrogen plasma assisted molecular beam epitaxy. The PL spectra of single InGaN/GaN nanocolumn consist of about tens sharp emission peaks, which position does not change even if the photo-excitation carrier density increases, unlike the conventional c-plane InGaN/GaN quantum well structures (QWs). Moreover, the PL lifetime of InGaN/GaN nanocolumn is two orders of magnitude faster than that taken at the same wavelength in conventional InGaN/GaN QWs. These results suggest that the piezoelectric polarization field is suppressed in InGaN/GaN nanocolumn, and the small localized centers are formed in InGaN/GaN nanocolumn.
キーワード (和) InGaN/GaNナノコラム / 線幅の狭い発光スペクトル / 発光再結合寿命 / 内部電界 / 局在発光中心 / / /  
(英) InGaN/GaN nanocolumn / sharp emission peak / PL lifetime / piezoelectric polarization field / localized centers / / /  
文献情報 信学技報, vol. 107, no. 253, LQE2007-58, pp. 7-12, 2007年10月.
資料番号 LQE2007-58 
発行日 2007-10-04 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2007-157 CPM2007-83 LQE2007-58 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2007-157 CPM2007-83 LQE2007-58

研究会情報
研究会 CPM ED LQE  
開催期間 2007-10-11 - 2007-10-12 
開催地(和) 福井大学 
開催地(英) Fukui Univ. 
テーマ(和) 窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般 
テーマ(英) Nitride Based Optical and Electronic Devices, Materials and Related Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2007-10-CPM-ED-LQE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Micro photoluminescence spectroscopy of single InGaN/GaN nanocolumn 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) InGaN/GaNナノコラム / InGaN/GaN nanocolumn  
キーワード(2)(和/英) 線幅の狭い発光スペクトル / sharp emission peak  
キーワード(3)(和/英) 発光再結合寿命 / PL lifetime  
キーワード(4)(和/英) 内部電界 / piezoelectric polarization field  
キーワード(5)(和/英) 局在発光中心 / localized centers  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 金田 昭男 / Akio Kaneta / カネタ アキオ
第1著者 所属(和/英) 京都大学/JST (略称: 京大/JST)
Kyoto University/JST (略称: Kyoto Univ./JST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 金井 聡庸 / Akinobu Kanai / カナイ アキノブ
第2著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 船戸 充 / Mitsuru Funato / フナト ミツル
第3著者 所属(和/英) 京都大学/JST (略称: 京大/JST)
Kyoto University/JST (略称: Kyoto Univ./JST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 川上 養一 / Yoichi Kawakami / カワカミ ヨウイチ
第4著者 所属(和/英) 京都大学/JST (略称: 京大/JST)
Kyoto University/JST (略称: Kyoto Univ./JST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 菊池 昭彦 / Akihiko Kikuchi / キクチ アキヒコ
第5著者 所属(和/英) 上智大学/JST (略称: 上智大/JST)
Sophia University/JST (略称: Sophia Univ./JST)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 岸野 克己 / Katsumi Kishino / キシノ カツミ
第6著者 所属(和/英) 上智大学/JST (略称: 上智大/JST)
Sophia University/JST (略称: Sophia Univ./JST)
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講演者 第1著者 
発表日時 2007-10-11 13:30:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 ED2007-157, CPM2007-83, LQE2007-58 
巻番号(vol) vol.107 
号番号(no) no.251(ED), no.252(CPM), no.253(LQE) 
ページ範囲 pp.7-12 
ページ数
発行日 2007-10-04 (ED, CPM, LQE) 


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