講演抄録/キーワード |
講演名 |
2007-10-11 13:30
単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光 ○金田昭男(京大/JST)・金井聡庸(京大)・船戸 充・川上養一(京大/JST)・菊池昭彦・岸野克己(上智大/JST) ED2007-157 CPM2007-83 LQE2007-58 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2007-157 CPM2007-83 LQE2007-58 |
抄録 |
(和) |
c面サファイア基板上に成長したInGaN/GaNナノコラムを、基板表面に微小ミラー構造を作製したSi基板上に分散させることで、単一InGaN/GaNナノコラムの顕微発光測定、顕微時間分解発光測定を行った。その結果、10本程度の線幅の狭い発光スペクトルを観測した。また、励起光強度を2桁上昇させても、発光ピーク位置は変化しなかった。さらに発光再結合寿命は、c面InGaN量子井戸に比べ2桁以上も早い値を持つことが分かった。以上のことから、InGaN/GaNナノコラムにおいては、内部電界の影響が少なく、さらにナノコラム内に微小な局在発光中心が形成されていることが分かった。 |
(英) |
The micro photoluminescence (PL) and micro time-resolved PL spectroscopy have been performed on a single InGaN/GaN nanocolumn structure grown by nitrogen plasma assisted molecular beam epitaxy. The PL spectra of single InGaN/GaN nanocolumn consist of about tens sharp emission peaks, which position does not change even if the photo-excitation carrier density increases, unlike the conventional c-plane InGaN/GaN quantum well structures (QWs). Moreover, the PL lifetime of InGaN/GaN nanocolumn is two orders of magnitude faster than that taken at the same wavelength in conventional InGaN/GaN QWs. These results suggest that the piezoelectric polarization field is suppressed in InGaN/GaN nanocolumn, and the small localized centers are formed in InGaN/GaN nanocolumn. |
キーワード |
(和) |
InGaN/GaNナノコラム / 線幅の狭い発光スペクトル / 発光再結合寿命 / 内部電界 / 局在発光中心 / / / |
(英) |
InGaN/GaN nanocolumn / sharp emission peak / PL lifetime / piezoelectric polarization field / localized centers / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 253, LQE2007-58, pp. 7-12, 2007年10月. |
資料番号 |
LQE2007-58 |
発行日 |
2007-10-04 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ED2007-157 CPM2007-83 LQE2007-58 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2007-157 CPM2007-83 LQE2007-58 |