講演抄録/キーワード |
講演名 |
2007-10-30 13:45
相変化メモリのリセット特性のモデリング ○酒井 敦・園田賢一郎・茂庭昌弘・石川清志・土屋 修・井上靖朗(ルネサステクノロジ) VLD2007-55 SDM2007-199 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2007-199 |
抄録 |
(和) |
本研究では,3次元の電気・熱伝導を考慮した相変化メモリのコンパクトモデルを開発し,リセット動作の解析を行った.
このモデルでは,相変化メモリセルの構造に依存する熱流と電流の3次元的な広がりを考慮するとともに,相変化メモリセルの熱伝導を解析する際に重要となるメモリセルと電極界面の熱抵抗についても取り込んでいる.
モデルの妥当性は,実験値との比較を通して検証した.
さらに提案したモデルを用いて,プロセスばらつきが相変化メモリの微細化に与える影響についても議論した. |
(英) |
A three-dimensional (3D) electro-thermal compact model for the reset operation of a phase change memory (PCM) cell is presented.
This model takes into account three-dimensional spreading of heat flux and current flow which depend on the PCM cell structure.
The interface thermal resistance, which has a crucial effect on the thermal conduction in a PCM cell, is also considered.
The accuracy of the model is confirmed by comparing the simulation results with measurement.
In addition, the scalability of PCM is also discussed from the process
fluctuation point of view. |
キーワード |
(和) |
相変化メモリ / リセット動作 / 電気・熱伝導コンパクトモデル / 界面熱抵抗 / / / / |
(英) |
phase change memory / reset operation / electro-thermal compact model / interface thermal resistance / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 297, SDM2007-199, pp. 23-26, 2007年10月. |
資料番号 |
SDM2007-199 |
発行日 |
2007-10-23 (VLD, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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