講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-06-10 09:55
III-VチャネルMISFET実現に向けたゲート絶縁膜界面制御技術 ○安田哲二・宮田典幸(産総研)・大竹晃浩(物質・材料研究機構) SDM2008-49 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2008-49 |
抄録 |
(和) |
22 nm世代以降のCMOSにおいて性能向上を実現するためのオプションとして,III-V族半導体のnチャネルへの導入が注目を集めている.本研究では,III-V/High-k界面のモデル系として,HfO2/GaAs直接接合界面の結合をGa-O型とAs-O型とで作り分けた試料の電気特性について検討した.さらに,CMOSのpチャネルにGe系の材料が採用された場合にゲートスタックの一括プロセスが可能になるという観点から,極薄エピタキシャルGe界面層の挿入効果を検討した.その結果,界面電気特性は界面結合の種類に依存して大きく変わること,および,GaやAsの表面偏析が抑制される条件でGe層を形成することにより周波数分散の小さいC-V特性が得られることが明らかになった. |
(英) |
Introduction of III-V semiconductors to the n channel of CMOS devices is one of the options to sustain performance improvements in the hp22 nm node and beyond. In this study, we chose HfO2/GaAs as the model system of the high-k/III-V interfaces and examined the electrical properties of the direct contact HfO2/GaAs interfaces that were intentionally composed of either Ga-O or As-O bonds. We also investigated the effects of an ultrathin epitaxial Ge interface layer on the electrical properties. It has been found that the electrical properties are strongly dependent on the type of the interface bonds. Ge insertion is effective to reduce the frequency dispersion of the C-V characteristics, provided that surface segregation of the As and Ga atoms to the Ge surface is suppressed. |
キーワード |
(和) |
III-V族半導体 / High-k絶縁膜 / GaAs / HfO2 / Ge / C-V特性 / フェルミレベルピニング / 表面再構成 |
(英) |
III-V semiconductors / High-k dielectrics / GaAs / HfO2 / Ge / C-V characteristics / Fermi level pinning / surface reconstruction |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 80, SDM2008-49, pp. 41-46, 2008年6月. |
資料番号 |
SDM2008-49 |
発行日 |
2008-06-02 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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