講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-07-09 11:40
[招待講演]AlGaN/GaN-based Electron Devices with Low-temperature GaN Cap Layer ○Tadayoshi Deguchi(New Japan Radio)・Takashi Egawa(Nagoya Inst. of Tech.) ED2008-41 SDM2008-60 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-41 SDM2008-60 |
抄録 |
(和) |
(まだ登録されていません) |
(英) |
We review our studies on AlGaN/GaN-based electron devices with a low-temperature GaN (LT-GaN) cap layer, such as heterostructure field-effect transistors (HFETs) and Schottky barrier diodes (SBDs) are reviewed.
The nNovel HFETs with a LT-GaN cap layer were have been proposed and fabricated, and we found that by utilizingusing the this LT-GaN cap layer as a gate insulator and providing surface passivation helps to is found to significantly suppress current collapse and gate leakage in AlGaN/GaN HFETs.
Furthermore, the combination of a LT-GaN cap layer and a SiN film for the surface passivation led to both the suppression of current collapse and no significant degradation in the gate-drain breakdown voltage.
We also investigated the correlation between the crystalline quality of LT-GaN cap layers and the current collapse in AlGaN/GaN HFETs, and found that a polycrystalline structure provides the most effective LT-GaN cap layer for suppressing current collapse.
AlGaN/GaN SBDs using a LT-GaN cap layer to provide edge termination were also fabricated on Si substrates.
The collapse-free AlGaN/GaN SBDs exhibited a high breakdown voltage of 1530 V. |
キーワード |
(和) |
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(英) |
AlGaN/GaN / low-temperature GaN / SBD / HFET / contact resistance / current collapse / leakage current / breakdown voltage |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 121, ED2008-41, pp. 9-14, 2008年7月. |
資料番号 |
ED2008-41 |
発行日 |
2008-07-02 (ED, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ED2008-41 SDM2008-60 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-41 SDM2008-60 |
研究会情報 |
研究会 |
SDM ED |
開催期間 |
2008-07-09 - 2008-07-11 |
開催地(和) |
かでる2・7(札幌) |
開催地(英) |
Kaderu2・7 |
テーマ(和) |
第16回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2008) |
テーマ(英) |
2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
ED |
会議コード |
2008-07-SDM-ED |
本文の言語 |
英語 |
タイトル(和) |
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サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
AlGaN/GaN-based Electron Devices with Low-temperature GaN Cap Layer |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
/ AlGaN/GaN |
キーワード(2)(和/英) |
/ low-temperature GaN |
キーワード(3)(和/英) |
/ SBD |
キーワード(4)(和/英) |
/ HFET |
キーワード(5)(和/英) |
/ contact resistance |
キーワード(6)(和/英) |
/ current collapse |
キーワード(7)(和/英) |
/ leakage current |
キーワード(8)(和/英) |
/ breakdown voltage |
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
出口 忠義 / Tadayoshi Deguchi / デグチ タダヨシ |
第1著者 所属(和/英) |
新日本無線株式会社 (略称: 新日本無線)
New Japan Radio Co., Ltd. (略称: New Japan Radio) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
江川 孝志 / Takashi Egawa / エガワ タカシ |
第2著者 所属(和/英) |
名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Insitute of Technology (略称: Nagoya Inst. of Tech.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2008-07-09 11:40:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
ED |
資料番号 |
ED2008-41, SDM2008-60 |
巻番号(vol) |
vol.108 |
号番号(no) |
no.121(ED), no.122(SDM) |
ページ範囲 |
pp.9-14 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2008-07-02 (ED, SDM) |
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