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講演抄録/キーワード
講演名 2008-07-09 11:40
[招待講演]AlGaN/GaN-based Electron Devices with Low-temperature GaN Cap Layer
Tadayoshi DeguchiNew Japan Radio)・Takashi EgawaNagoya Inst. of Tech.ED2008-41 SDM2008-60 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-41 SDM2008-60
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
(英) We review our studies on AlGaN/GaN-based electron devices with a low-temperature GaN (LT-GaN) cap layer, such as heterostructure field-effect transistors (HFETs) and Schottky barrier diodes (SBDs) are reviewed.
The nNovel HFETs with a LT-GaN cap layer were have been proposed and fabricated, and we found that by utilizingusing the this LT-GaN cap layer as a gate insulator and providing surface passivation helps to is found to significantly suppress current collapse and gate leakage in AlGaN/GaN HFETs.
Furthermore, the combination of a LT-GaN cap layer and a SiN film for the surface passivation led to both the suppression of current collapse and no significant degradation in the gate-drain breakdown voltage.
We also investigated the correlation between the crystalline quality of LT-GaN cap layers and the current collapse in AlGaN/GaN HFETs, and found that a polycrystalline structure provides the most effective LT-GaN cap layer for suppressing current collapse.
AlGaN/GaN SBDs using a LT-GaN cap layer to provide edge termination were also fabricated on Si substrates.
The collapse-free AlGaN/GaN SBDs exhibited a high breakdown voltage of 1530 V.
キーワード (和) / / / / / / /  
(英) AlGaN/GaN / low-temperature GaN / SBD / HFET / contact resistance / current collapse / leakage current / breakdown voltage  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 121, ED2008-41, pp. 9-14, 2008年7月.
資料番号 ED2008-41 
発行日 2008-07-02 (ED, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2008-41 SDM2008-60 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-41 SDM2008-60

研究会情報
研究会 SDM ED  
開催期間 2008-07-09 - 2008-07-11 
開催地(和) かでる2・7(札幌) 
開催地(英) Kaderu2・7 
テーマ(和) 第16回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2008) 
テーマ(英) 2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2008-07-SDM-ED 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) AlGaN/GaN-based Electron Devices with Low-temperature GaN Cap Layer 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) / AlGaN/GaN  
キーワード(2)(和/英) / low-temperature GaN  
キーワード(3)(和/英) / SBD  
キーワード(4)(和/英) / HFET  
キーワード(5)(和/英) / contact resistance  
キーワード(6)(和/英) / current collapse  
キーワード(7)(和/英) / leakage current  
キーワード(8)(和/英) / breakdown voltage  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 出口 忠義 / Tadayoshi Deguchi / デグチ タダヨシ
第1著者 所属(和/英) 新日本無線株式会社 (略称: 新日本無線)
New Japan Radio Co., Ltd. (略称: New Japan Radio)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 江川 孝志 / Takashi Egawa / エガワ タカシ
第2著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Insitute of Technology (略称: Nagoya Inst. of Tech.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2008-07-09 11:40:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2008-41, SDM2008-60 
巻番号(vol) vol.108 
号番号(no) no.121(ED), no.122(SDM) 
ページ範囲 pp.9-14 
ページ数
発行日 2008-07-02 (ED, SDM) 


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