お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2008-10-10 15:15
Stress Induced Leakage CurrentとRandom Telegraph Signalノイズとの相関
熊谷勇喜寺本章伸阿部健一藤澤孝文渡部俊一諏訪智之宮本直人須川成利大見忠弘東北大SDM2008-165 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2008-165
抄録 (和) 絶縁膜にFowler-Noldheim(FN)電子注入ストレスを印加した際の、stress induced leakage current (SILC)と、random telegraph signal ノイズの相関を、およそ8万個のMOSFETについて調査したので報告する。5.7nmの熱酸化膜に11MV/cmの定電界ストレスを印加すると、非常に大きなSILCを有するMOSFETの数と振幅の大きなRTSを有するMOSFETの数の両方が増加する。しかし、大きなSILCを有するMOSFETが、同時に振幅の大きなRTSも有しているとは限らないことがわかった。 
(英) In this paper, we report the correlation between anomalous stress-induced leakage current (SILC) and random telegraph signal (RTS) in about 80,000 n-MOSFETs caused by the Fowler-Nordheim (F-N) electron tunneling stress. The number of MOSFETs that have large RTS increases and the number of MOSFETs that have anomalous SILC increases by applying F-N stress. It is also found that, howevere, the MOSFETs that have large RTS are not correlation with ones that have large anomalous SILC.
キーワード (和) 異常SILC / RTS / ビット不良 / トラップ / / / /  
(英) anomalous SILC / RTS / bit error / trap / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 236, SDM2008-165, pp. 57-62, 2008年10月.
資料番号 SDM2008-165 
発行日 2008-10-02 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2008-165 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2008-165

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2008-10-09 - 2008-10-10 
開催地(和) 東北大学 
開催地(英) Tohoku Univ. 
テーマ(和) プロセス科学と新プロセス技術 
テーマ(英) Process Science and Novel Process Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2008-10-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Stress Induced Leakage CurrentとRandom Telegraph Signalノイズとの相関 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Correlation between Stress Induced Leakage Current and Random Telegraph Signal noise 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 異常SILC / anomalous SILC  
キーワード(2)(和/英) RTS / RTS  
キーワード(3)(和/英) ビット不良 / bit error  
キーワード(4)(和/英) トラップ / trap  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 熊谷 勇喜 / Yuki Kumagai / クマガイ ユウキ
第1著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 寺本 章伸 / Akinobu Teramoto / テラモト アキノブ
第2著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 阿部 健一 / Kenichi Abe / アベ ケンイチ
第3著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤澤 孝文 / Takafumi Fujisawa / フジサワ タカフミ
第4著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡部 俊一 / Syunichi Watabe / ワタベ シュンイチ
第5著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 諏訪 智之 / Tomoyuki Suwa / スワ トモユキ
第6著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮本 直人 / Naoto Miyamoto / ミヤモト ナオト
第7著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 須川 成利 / Shigetoshi Sugawa / スガワ シゲトシ
第8著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 大見 忠弘 / Tadahiro Ohmi / オオミ タダヒロ
第9著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2008-10-10 15:15:00 
発表時間 30分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2008-165 
巻番号(vol) vol.108 
号番号(no) no.236 
ページ範囲 pp.57-62 
ページ数
発行日 2008-10-02 (SDM) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会