講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-10-10 15:15
Stress Induced Leakage CurrentとRandom Telegraph Signalノイズとの相関 ○熊谷勇喜・寺本章伸・阿部健一・藤澤孝文・渡部俊一・諏訪智之・宮本直人・須川成利・大見忠弘(東北大) SDM2008-165 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2008-165 |
抄録 |
(和) |
絶縁膜にFowler-Noldheim(FN)電子注入ストレスを印加した際の、stress induced leakage current (SILC)と、random telegraph signal ノイズの相関を、およそ8万個のMOSFETについて調査したので報告する。5.7nmの熱酸化膜に11MV/cmの定電界ストレスを印加すると、非常に大きなSILCを有するMOSFETの数と振幅の大きなRTSを有するMOSFETの数の両方が増加する。しかし、大きなSILCを有するMOSFETが、同時に振幅の大きなRTSも有しているとは限らないことがわかった。 |
(英) |
In this paper, we report the correlation between anomalous stress-induced leakage current (SILC) and random telegraph signal (RTS) in about 80,000 n-MOSFETs caused by the Fowler-Nordheim (F-N) electron tunneling stress. The number of MOSFETs that have large RTS increases and the number of MOSFETs that have anomalous SILC increases by applying F-N stress. It is also found that, howevere, the MOSFETs that have large RTS are not correlation with ones that have large anomalous SILC. |
キーワード |
(和) |
異常SILC / RTS / ビット不良 / トラップ / / / / |
(英) |
anomalous SILC / RTS / bit error / trap / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 236, SDM2008-165, pp. 57-62, 2008年10月. |
資料番号 |
SDM2008-165 |
発行日 |
2008-10-02 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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