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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-11-27 15:25 超薄膜InN/(In)GaN量子井戸活性層を用いた新規青緑域発光デバイス ○崔 成伯・結城明彦・渡邊宏志・石谷善博・吉川明彦（千葉大）  ED2008-163 CPM2008-112 LQE2008-107 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-163 CPM2008-112 LQE2008-107 |
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| 抄録 | （和） | 高効率青緑域発光デバイスへの応用を目指した1分子層InN/InGaN/GaN量子井戸構造の結晶成長およびその発光ダイオードの試作評価を行った。従来報告してきた1分子層InN/GaN量子井戸構造では、主に380nm~430nm域でのみ発光が観測されたのに対し、1分子層InN層とInGaN混晶を組み合わせた新規構造では約540nmの緑色域まで長波長化が可能であることがわかった。またこの構造を活性層とした発光ダイオードのElectroluminscenceスペクトルの注入電流依存性を評価したところ、約500nm域の発光領域においてもブルーシフトは観測されなかった。これは超薄膜InN井戸層形成効果による量子閉じ込めシュタルク効果の低減を示しており、本研究で提案する超薄膜InNナノ構造が新規高効率青緑域発光デバイスの活性層として有望であることがわかった。 |
| （英） | 1 monolayer (ML) thick InN quantum well (QW) with InGaN barrier grown by radio-frequency plasma assisted molecular beam epitaxy (rf-MBE) is proposed for a new active layer of blue-green light emitters. Compared with previously reported 1 ML thick InN/GaN QWs, extended emission wavelength up to pure green region (~530 nm) is expected for these QWs with InGaN barriers. It is found that for the InN/InGaN QW structure, in which the InGaN layer is used as a barrier instead of GaN, very thin InN well layers are basically formed in the same manner as the InN/GaN QWs. Bluish-green emission is observed in the QW light-emitting diode (LED) and no blue shift is observed in electroluminescence spectra from the LED for various current levels, indicating an enhancement in the quantum efficiency by inserting the ultrathin InN well leading to suppression of the quantum confined Stark effect. | |
| キーワード | （和） | InN / 超薄膜量子井戸 / 発光ダイオード / 量子閉じ込めシュタルク効果 / / / / |
| （英） | InN / Ultrathin quantum well / Light-emitting diodes / Quantum-confined Stark effect / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 322, CPM2008-112, pp. 51-56, 2008年11月. | |
| 資料番号 | CPM2008-112 | |
| 発行日 | 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-163 CPM2008-112 LQE2008-107 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-163 CPM2008-112 LQE2008-107 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2008-11-27 - 2008-11-28 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Institute of Technology |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，及び関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Based Optical and Electronic Devices, Materials and Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2008-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 超薄膜InN/(In)GaN量子井戸活性層を用いた新規青緑域発光デバイス |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ultraghin InN/(In)GaN quantum well structure for a new active layer of blue-green light |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InN / InN |
| キーワード(2)（和/英） | 超薄膜量子井戸 / Ultrathin quantum well |
| キーワード(3)（和/英） | 発光ダイオード / Light-emitting diodes |
| キーワード(4)（和/英） | 量子閉じ込めシュタルク効果 / Quantum-confined Stark effect |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 崔 成伯 / Song-Bek Che / チェ ソンベク |
| 第1著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 結城 明彦 / Akihiko Yuki / ユウキ アキヒコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡邊 宏志 / Hiroshi Watanabe / ワタナベ ヒロシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石谷 善博 / Yoshihiro Ishitani / イシタニ ヨシヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉川 明彦 / Akihiko Yoshikawa / ヨシカワ アキヒコ |
| 第5著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-11-27 15:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | ED2008-163, CPM2008-112, LQE2008-107 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.321(ED), no.322(CPM), no.323(LQE) |
| ページ範囲 | pp.51-56 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) |
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