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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-11-27 10:55 ZnO基板上への非極性面III族窒化物半導体の成長と評価 ○小林 篤・上野耕平・下元一馬・太田実雄（東大）・藤岡 洋・尾嶋正治（東大/JST）・天内英貴・長尾 哲・堀江秀善（三菱化学）  ED2008-155 CPM2008-104 LQE2008-99 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-155 CPM2008-104 LQE2008-99 |
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| 抄録 | （和） | これまで格子整合性が低い異種基板上へのヘテロエピタキシャル成長を余儀なくされ，十分な結晶品質が得られなかった非極性面?族窒化物半導体であるが，格子整合基板であるZnOを用いることでその結晶性を大幅に向上させることに成功した．ZnOが化学的，熱的に不安定性であることから，成長中に?族窒化物とZnOが反応してしまうという問題が指摘されていたが，我々が開発した室温エピタキシャル成長技術を用いることで高品質な非極性面ヘテロ界面が実現し，この問題を解決できることが分かった． |
| （英） | We have succeeded in epitaxial growth of high-quality nonpolar and semipolar (Al,In,Ga)N films on ZnO substrates using room temperature growth technique by pulsed excitation deposition (PXD). ZnO is a chemically vulnerable material at elevated temperatures although it gives small lattice mismatches to III-nitrides and shares the same crystal symmetry. Therefore, it is difficult to grow high-quality films on ZnO substrates by conventional MOCVD or MBE techniques. On the other hand, the use of PXD allows us to grow nitrides at low temperatures thanks to high kinetic energy of film precursors. | |
| キーワード | （和） | ?族窒化物半導体 / 非極性面 / ZnO / パルス励起堆積法 / 低温成長 / / / |
| （英） | Group-III nitrides / nonpolar / semipolar / ZnO / pulsed excitation deposition / low-temperature growth / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 323, LQE2008-99, pp. 17-20, 2008年11月. | |
| 資料番号 | LQE2008-99 | |
| 発行日 | 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-155 CPM2008-104 LQE2008-99 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-155 CPM2008-104 LQE2008-99 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2008-11-27 - 2008-11-28 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Institute of Technology |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，及び関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Based Optical and Electronic Devices, Materials and Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2008-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ZnO基板上への非極性面III族窒化物半導体の成長と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth and characterization of nonpolar and semipolar (Al,In,Ga)N films on ZnO substrates |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ?族窒化物半導体 / Group-III nitrides |
| キーワード(2)（和/英） | 非極性面 / nonpolar |
| キーワード(3)（和/英） | ZnO / semipolar |
| キーワード(4)（和/英） | パルス励起堆積法 / ZnO |
| キーワード(5)（和/英） | 低温成長 / pulsed excitation deposition |
| キーワード(6)（和/英） | / low-temperature growth |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 篤 / Atsushi Kobayashi / コバヤシ アツシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上野 耕平 / Kohei Ueno / ウエノ コウヘイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 下元 一馬 / Kazuma Shimomoto / シモモト カズマ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 太田 実雄 / Jitsuo Ohta / オオタ ジツオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤岡 洋 / Hiroshi Fujioka / フジオカ ヒロシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大/JST) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 尾嶋 正治 / Masaharu Oshima / オシマ マサハル |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大/JST) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 天内 英貴 / Hidetaka Amanai / アマナイ ヒデタカ |
| 第7著者 所属（和/英） | 三菱化学科学技術研究センター (略称： 三菱化学) Mitsubishi Chemical Group Science and Technology Research Center (略称： Mitsubishi Chemical Group Science and Technology Research Center) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長尾 哲 / Satoru Nagao / ナガオ サトル |
| 第8著者 所属（和/英） | 三菱化学科学技術研究センター (略称： 三菱化学) Mitsubishi Chemical Group Science and Technology Research Center (略称： Mitsubishi Chemical Group Science and Technology Research Center) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 堀江 秀善 / Hideyoshi Horie / ホリエ ヒデヨシ |
| 第9著者 所属（和/英） | 三菱化学科学技術研究センター (略称： 三菱化学) Mitsubishi Chemical Group Science and Technology Research Center (略称： Mitsubishi Chemical Group Science and Technology Research Center) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-11-27 10:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2008-155, CPM2008-104, LQE2008-99 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.321(ED), no.322(CPM), no.323(LQE) |
| ページ範囲 | pp.17-20 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) |
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