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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-11-27 14:35 400mW級GaN系青紫色半導体レーザ ○亀山真吾・久納康光・井下京治・井上大二朗・別所靖之・後藤壮謙・國里竜也（三洋電機）  ED2008-161 CPM2008-110 LQE2008-105 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-161 CPM2008-110 LQE2008-105 |
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| 抄録 | （和） | 青紫色レーザを光源とするBlu-rayディスクシステムの高速記録化・多層記録化の開発が進展している。これらのシステムを実現するために、青紫色レーザの高出力化が強く要請されている。今回、新規端面保護膜構造の導入および長共振器化と同時に内部損失の低減を図ることにより、電流-光出力特性において、スロープ効率低下による動作電流の上昇を低減し、光出力450mW以上（25～80℃、パルス発振）のキンクフリーの特性を得た。また、光出力450mW（80℃、パルス駆動）において1000時間以上安定に動作することを確認した。 |
| （英） | Development of high speed recording and large capacity recording for Blu-ray optical disc systems using blue-violet laser diodes have progressed. A high-power blue-violet laser diode is required strongly to achieve these systems. We have fabricated blue-violet laser diodes with high-power characteristic on GaN substrates by using new facet coating structure and reducing the internal loss in the device and making long cavity length. These laser diodes have high reliability for more than 1000h with a light output power of 450 mW at 80 °C under pulsed operation. | |
| キーワード | （和） | 半導体レーザ / 窒化ガリウム系半導体 / 高出力 / 内部損失 / 長共振器 / / / |
| （英） | laser diode / GaN-based semiconductor / high power / internal loss / long cavity / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 323, LQE2008-105, pp. 41-44, 2008年11月. | |
| 資料番号 | LQE2008-105 | |
| 発行日 | 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-161 CPM2008-110 LQE2008-105 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-161 CPM2008-110 LQE2008-105 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2008-11-27 - 2008-11-28 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Institute of Technology |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，及び関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Based Optical and Electronic Devices, Materials and Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2008-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 400mW級GaN系青紫色半導体レーザ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-Power GaN-based Blue-Violet Laser Diodes |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半導体レーザ / laser diode |
| キーワード(2)（和/英） | 窒化ガリウム系半導体 / GaN-based semiconductor |
| キーワード(3)（和/英） | 高出力 / high power |
| キーワード(4)（和/英） | 内部損失 / internal loss |
| キーワード(5)（和/英） | 長共振器 / long cavity |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 亀山 真吾 / Shingo Kameyama / カメヤマ シンゴ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三洋電機 (略称： 三洋電機) SANYO Electric Co., Ltd (略称： SANYO) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 久納 康光 / Yasumitsu Kunou / クノウ ヤスミツ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三洋電機 (略称： 三洋電機) SANYO Electric Co., Ltd (略称： SANYO) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井下 京治 / Kyouji Inoshita / イノシタ キョウジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 三洋電機 (略称： 三洋電機) SANYO Electric Co., Ltd (略称： SANYO) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井上 大二朗 / Daijiro Inoue / イノウエ ダイジロウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 三洋電機 (略称： 三洋電機) SANYO Electric Co., Ltd (略称： SANYO) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 別所 靖之 / Yasuyuki Bessho / ベッショ ヤスユキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 三洋電機 (略称： 三洋電機) SANYO Electric Co., Ltd (略称： SANYO) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 後藤 壮謙 / Takenori Goto / ゴトウ タケノリ |
| 第6著者 所属（和/英） | 三洋電機 (略称： 三洋電機) SANYO Electric Co., Ltd (略称： SANYO) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 國里 竜也 / Tatsuya Kunisato / クニサト タツヤ |
| 第7著者 所属（和/英） | 三洋電機 (略称： 三洋電機) SANYO Electric Co., Ltd (略称： SANYO) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-11-27 14:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2008-161, CPM2008-110, LQE2008-105 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.321(ED), no.322(CPM), no.323(LQE) |
| ページ範囲 | pp.41-44 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) |
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