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講演抄録/キーワード
講演名 2008-11-27 11:20
深紫外・紫外域半導体発光デバイスのためのAlNテンプレートの高品質化
武田智仁安斉秀晃川西英雄工学院大ED2008-156 CPM2008-105 LQE2008-100 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-156 CPM2008-105 LQE2008-100
抄録 (和) AlN、GaN及びそれらの混晶半導体であるAlGaNなどの窒化物半導体では、基板との格子整合がとれていないことから、基板とエピタキシャル成長層とのヘテロ界面で、ミスフィット転位、欠陥が発生、エピタキシャル成長層に多くの転位や欠陥が含まれる。その結果、窒化物半導体を利用した発光デバイスの発光効率などに大きな影響を与える。この転位や欠陥を低減する方法として、我々は基板上に(AlN/GaN)多重バッファ層構造による歪み制御による貫通転位のフィルタリング効果、AlNテンプレート構造を導入と成長法の工夫とにより、テンプレート層の高品質化を達成してきた。ここでは、どのようにして高品質テンプレートを作製して来たのか、特に,今回は刃状転位密度を如何にして低減したかについて議論してみたい。 
(英) Misfit-dislocation and related defects were grown on hetero-interface between substrate and epitaxial layer, and influence to light emitter’s efficiency, in ordinarily speaking. Up to this time, we have reported on (AlN/GaN) Multi-Buffer Layer structure and Alternate Source–Feeding MO-VPE technique for improving crystalline quality, because its affect to emission efficiency of optical devices. In this report, we are discussing on old and new improving technique of the crystalline quality of AlN template, especially edge-type dislocation, for UV and deep-UV light emitter applications.
キーワード (和) 深紫外半導体レーザ / AlNテンプレート / / / / / /  
(英) Deep-UV semiconductor laser / AlN-Template / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 323, LQE2008-100, pp. 21-24, 2008年11月.
資料番号 LQE2008-100 
発行日 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2008-156 CPM2008-105 LQE2008-100 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-156 CPM2008-105 LQE2008-100

研究会情報
研究会 LQE ED CPM  
開催期間 2008-11-27 - 2008-11-28 
開催地(和) 名古屋工業大学 
開催地(英) Nagoya Institute of Technology 
テーマ(和) 窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般 
テーマ(英) Nitride Based Optical and Electronic Devices, Materials and Related Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2008-11-LQE-ED-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 深紫外・紫外域半導体発光デバイスのためのAlNテンプレートの高品質化 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Improvement of AlN-template quality for deep-UV and UV light emitters 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 深紫外半導体レーザ / Deep-UV semiconductor laser  
キーワード(2)(和/英) AlNテンプレート / AlN-Template  
キーワード(3)(和/英) /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 武田 智仁 / Tomohito Takeda / タケダ トモヒト
第1著者 所属(和/英) 工学院大学 (略称: 工学院大)
Kogakuin University (略称: Kogakuin)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 安斉 秀晃 / Hideaki Anzai / アンザイ ヒデアキ
第2著者 所属(和/英) 工学院大学 (略称: 工学院大)
Kogakuin University (略称: Kogakuin)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 川西 英雄 / Hideo Kawanishi / カワニシ ヒデオ
第3著者 所属(和/英) 工学院大学 (略称: 工学院大)
Kogakuin University (略称: Kogakuin)
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講演者 第1著者 
発表日時 2008-11-27 11:20:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 ED2008-156, CPM2008-105, LQE2008-100 
巻番号(vol) vol.108 
号番号(no) no.321(ED), no.322(CPM), no.323(LQE) 
ページ範囲 pp.21-24 
ページ数
発行日 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) 


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