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| 講演名 | 2008-11-27 13:35 GaN系MOS型紫外発光ダイオードの逆方向電流の低減 ○本田 徹・小宮山重利・増山佳宏・渡邊謙二（工学院大）  ED2008-159 CPM2008-108 LQE2008-103 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-159 CPM2008-108 LQE2008-103 |
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| 抄録 | （和） | GaN系集積型発光素子は、マイクロディスプレイなどへの応用が期待されている。これまでに高効率発光ダイオードがGaInN系材料および量子井戸、pn接合により実現されているが、製作コストの点からデバイス構造の抜本的改革が必要とされている。本研究ではショットキー型発光ダイオードに着目し、低コスト集積化応用およびその発光効率向上を検討してきた。本素子は、逆方向リーク電流が少ないことが、素子の動作原理上要求される。窒化物上に蒸着したアルミニウム薄膜の大気中酸化およびその大気中エッチング(Al facepack 法)により低リーク電流を実現した。これは、Ｘ線光電子分光法(XPS)および走査型電子顕微鏡(SEM)の観察結果から、窒化物薄膜の貫通転位(TD)直上周辺の表面改質がfacepack 法により実現され、リークパスが低減したためと思われる。 |
| （英） | The reduction of reverse-bias leakage current in GaN-based Schottky diodes was investigated using an aluminum facepack technique, which resulted in a decrease in the reverse-bias current. The large reverse-bias current was reduced by the facepack technique. This is due to the mask effect of the facepack reducing the number of dislocation-related leakage current paths. The reduction leads to the enhancement of quantum efficiency in Schottky-type light-emitting diodes (ST-LEDs). | |
| キーワード | （和） | GaN / LED / UV / 逆方向リーク電流 / / / / |
| （英） | GaN / LED / UV / reverse-bias current / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 323, LQE2008-103, pp. 33-36, 2008年11月. | |
| 資料番号 | LQE2008-103 | |
| 発行日 | 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-159 CPM2008-108 LQE2008-103 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-159 CPM2008-108 LQE2008-103 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2008-11-27 - 2008-11-28 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Institute of Technology |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，及び関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Based Optical and Electronic Devices, Materials and Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2008-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaN系MOS型紫外発光ダイオードの逆方向電流の低減 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Reduction of reverse-bias current in GaN-based metal-oxide-semiconductor diodes operating in UV spectral region |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | LED / LED |
| キーワード(3)（和/英） | UV / UV |
| キーワード(4)（和/英） | 逆方向リーク電流 / reverse-bias current |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本田 徹 / Tohru Honda / ホンダ トオル |
| 第1著者 所属（和/英） | 工学院大学 (略称： 工学院大) Kogakuin University (略称： Kogakuin Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小宮山 重利 / Shigetoshi Komiyama / コミヤマ シゲトシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 工学院大学 (略称： 工学院大) Kogakuin University (略称： Kogakuin Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 増山 佳宏 / Yoshihiro Mashiyama / マシヤマ ヨシヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 工学院大学 (略称： 工学院大) Kogakuin University (略称： Kogakuin Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡邊 謙二 / Kenji Watanabe / ワタナベ ケンジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 工学院大学 (略称： 工学院大) Kogakuin University (略称： Kogakuin Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-11-27 13:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2008-159, CPM2008-108, LQE2008-103 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.321(ED), no.322(CPM), no.323(LQE) |
| ページ範囲 | pp.33-36 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) |
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