お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2009-01-30 14:00
深堀エッチングによるシリコン導波路上ブラッググレーティングのフィルタ特性改善
松井純哉高橋洋樹謝 楠宇高勝之早大PN2008-69 OPE2008-172 LQE2008-169 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2008-172 LQE2008-169
抄録 (和) WDMによる通信容量の増大に伴い,SOI(Silicon on Insulator)基板上Si導波路を用いた低コストかつ高機能な光デバイスが注目されている.我々はこれまでにDeep-RIEによって作製した高結合係数Siグレーティングにより,WDM用インターリーバとして機能するマイケルソン干渉計型フィルタを実現している.今回,ラフネスの少ない深堀グレーティングを作製することで約25dBの透過コントラスト,約6nmの帯域幅が得られ,グレーティング特性の大幅な向上を行うことができたので報告する. 
(英) With the increase of communication capacity by WDM, low-cost and high-performance optical devices using Si waveguide on silicon-on-insulator (SOI) substrates attract attention. So far we fabricated the Michelson Interferometer-type filter which works as a WDM interleaver consisting of large coupling-coefficient Si grating made by Deep-RIE. In this paper, we report the improvement of grating characteristics, such as a large transmission contrast of about 25dB and a band width of about 6nm for the grating by deep grating with reduced roughness.
キーワード (和) WDM / SOI / シリコングレーティング / フィルタ素子 / Deep-RIE / / /  
(英) WDM / SOI / Silicon Bragg Grating / Filter Device / Deep-RIE / / /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 418, OPE2008-172, pp. 151-154, 2009年1月.
資料番号 OPE2008-172 
発行日 2009-01-22 (PN, OPE, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード PN2008-69 OPE2008-172 LQE2008-169 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2008-172 LQE2008-169

研究会情報
研究会 PN OPE EMT LQE  
開催期間 2009-01-29 - 2009-01-30 
開催地(和) 京都工芸繊維大学(松ヶ崎キャンパス) 
開催地(英) Kyoto Institute Technology (Matsugasaki Campus) 
テーマ(和) フォトニックNWシステム・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 OPE 
会議コード 2009-01-PN-OPE-EMT-LQE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 深堀エッチングによるシリコン導波路上ブラッググレーティングのフィルタ特性改善 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Improvement of Filtering Characteristics of Bragg Grating Formed on Silicon Waveguide by Deep-RIE Etching 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) WDM / WDM  
キーワード(2)(和/英) SOI / SOI  
キーワード(3)(和/英) シリコングレーティング / Silicon Bragg Grating  
キーワード(4)(和/英) フィルタ素子 / Filter Device  
キーワード(5)(和/英) Deep-RIE / Deep-RIE  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 松井 純哉 / Junya Matsui / マツイ ジュンヤ
第1著者 所属(和/英) 早稲田大学 (略称: 早大)
Waseda University (略称: Waseda Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 高橋 洋樹 / Hiroki Takahashi / タカハシ ヒロキ
第2著者 所属(和/英) 早稲田大学 (略称: 早大)
Waseda University (略称: Waseda Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 謝 楠 / Nan Xie / シェ ナン
第3著者 所属(和/英) 早稲田大学 (略称: 早大)
Waseda University (略称: Waseda Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 宇高 勝之 / Katsuyuki Utaka / ウタカ カツユキ
第4著者 所属(和/英) 早稲田大学 (略称: 早大)
Waseda University (略称: Waseda Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2009-01-30 14:00:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 OPE 
資料番号 PN2008-69, OPE2008-172, LQE2008-169 
巻番号(vol) vol.108 
号番号(no) no.417(PN), no.418(OPE), no.419(LQE) 
ページ範囲 pp.151-154 
ページ数
発行日 2009-01-22 (PN, OPE, LQE) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会