講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-01-30 14:00
深堀エッチングによるシリコン導波路上ブラッググレーティングのフィルタ特性改善 ○松井純哉・高橋洋樹・謝 楠・宇高勝之(早大) PN2008-69 OPE2008-172 LQE2008-169 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2008-172 LQE2008-169 |
抄録 |
(和) |
WDMによる通信容量の増大に伴い,SOI(Silicon on Insulator)基板上Si導波路を用いた低コストかつ高機能な光デバイスが注目されている.我々はこれまでにDeep-RIEによって作製した高結合係数Siグレーティングにより,WDM用インターリーバとして機能するマイケルソン干渉計型フィルタを実現している.今回,ラフネスの少ない深堀グレーティングを作製することで約25dBの透過コントラスト,約6nmの帯域幅が得られ,グレーティング特性の大幅な向上を行うことができたので報告する. |
(英) |
With the increase of communication capacity by WDM, low-cost and high-performance optical devices using Si waveguide on silicon-on-insulator (SOI) substrates attract attention. So far we fabricated the Michelson Interferometer-type filter which works as a WDM interleaver consisting of large coupling-coefficient Si grating made by Deep-RIE. In this paper, we report the improvement of grating characteristics, such as a large transmission contrast of about 25dB and a band width of about 6nm for the grating by deep grating with reduced roughness. |
キーワード |
(和) |
WDM / SOI / シリコングレーティング / フィルタ素子 / Deep-RIE / / / |
(英) |
WDM / SOI / Silicon Bragg Grating / Filter Device / Deep-RIE / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 418, OPE2008-172, pp. 151-154, 2009年1月. |
資料番号 |
OPE2008-172 |
発行日 |
2009-01-22 (PN, OPE, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
PN2008-69 OPE2008-172 LQE2008-169 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2008-172 LQE2008-169 |
研究会情報 |
研究会 |
PN OPE EMT LQE |
開催期間 |
2009-01-29 - 2009-01-30 |
開催地(和) |
京都工芸繊維大学(松ヶ崎キャンパス) |
開催地(英) |
Kyoto Institute Technology (Matsugasaki Campus) |
テーマ(和) |
フォトニックNWシステム・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般 |
テーマ(英) |
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講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
OPE |
会議コード |
2009-01-PN-OPE-EMT-LQE |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
深堀エッチングによるシリコン導波路上ブラッググレーティングのフィルタ特性改善 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Improvement of Filtering Characteristics of Bragg Grating Formed on Silicon Waveguide by Deep-RIE Etching |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
WDM / WDM |
キーワード(2)(和/英) |
SOI / SOI |
キーワード(3)(和/英) |
シリコングレーティング / Silicon Bragg Grating |
キーワード(4)(和/英) |
フィルタ素子 / Filter Device |
キーワード(5)(和/英) |
Deep-RIE / Deep-RIE |
キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
松井 純哉 / Junya Matsui / マツイ ジュンヤ |
第1著者 所属(和/英) |
早稲田大学 (略称: 早大)
Waseda University (略称: Waseda Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
高橋 洋樹 / Hiroki Takahashi / タカハシ ヒロキ |
第2著者 所属(和/英) |
早稲田大学 (略称: 早大)
Waseda University (略称: Waseda Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
謝 楠 / Nan Xie / シェ ナン |
第3著者 所属(和/英) |
早稲田大学 (略称: 早大)
Waseda University (略称: Waseda Univ.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
宇高 勝之 / Katsuyuki Utaka / ウタカ カツユキ |
第4著者 所属(和/英) |
早稲田大学 (略称: 早大)
Waseda University (略称: Waseda Univ.) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2009-01-30 14:00:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
OPE |
資料番号 |
PN2008-69, OPE2008-172, LQE2008-169 |
巻番号(vol) |
vol.108 |
号番号(no) |
no.417(PN), no.418(OPE), no.419(LQE) |
ページ範囲 |
pp.151-154 |
ページ数 |
4 |
発行日 |
2009-01-22 (PN, OPE, LQE) |