講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-02-26 16:55
AlNセラミック基板上に集積した共鳴トンネルペア発振器 ○前澤宏一(富山大)・亀谷直樹・岸本 茂・水谷 孝(名大)・赤松和弘(日鉱金属) ED2008-231 SDM2008-223 |
抄録 |
(和) |
AlN セラミック基板上に共鳴トンネルダイオードペア発振器を作製し,その特性を調べた.作製には微小デバイスブロックの配置・配線技術を用いた.これにより,大容量のチップコンデンサをRTD の近傍に配置することが可能になった.49 GHz で安定した発振が得られ,100 kHz オフセットで-100 dBc/Hz という良好な位相ノイズ特性が得られた. |
(英) |
The RTD-pair oscillators were designed and fabricated on an AlN ceramic substrate employing novel integration process based on assembly of small device blocks. Using this process chip capacitors were mounted close to the oscillator without large parasitic inductance. This can relax the severe condition for bias stability. Stable oscillations were observed in the fabricated circuits at 35-50 GHz. Good single sideband phase noise of -100 dBc/Hz at 100-kHz offset was also observed for the fabricated circuit. |
キーワード |
(和) |
発振器 / ,ヘテロジニアス・インテグレイション / 共鳴トンネル / InP / / / / |
(英) |
oscillator / heterogeneous integration / resonant tunneling / InP / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 437, ED2008-231, pp. 41-46, 2009年2月. |
資料番号 |
ED2008-231 |
発行日 |
2009-02-19 (ED, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ED2008-231 SDM2008-223 |
研究会情報 |
研究会 |
SDM ED |
開催期間 |
2009-02-26 - 2009-02-27 |
開催地(和) |
北海道大学 |
開催地(英) |
Hokkaido Univ. |
テーマ(和) |
機能ナノデバイスおよび関連技術 |
テーマ(英) |
Functional nanodevices and related technologies |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
ED |
会議コード |
2009-02-SDM-ED |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
AlNセラミック基板上に集積した共鳴トンネルペア発振器 |
サブタイトル(和) |
|
タイトル(英) |
RTD-Pair Oscillators Integrated on an AlN Ceramic Substrate |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
発振器 / oscillator |
キーワード(2)(和/英) |
,ヘテロジニアス・インテグレイション / heterogeneous integration |
キーワード(3)(和/英) |
共鳴トンネル / resonant tunneling |
キーワード(4)(和/英) |
InP / InP |
キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
前澤 宏一 / Koichi Maezawa / マエザワ コウイチ |
第1著者 所属(和/英) |
富山大学 (略称: 富山大)
University of Toyama (略称: Univ. Toyama) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
亀谷 直樹 / Naoki Kamegai / カメガイ ナオキ |
第2著者 所属(和/英) |
名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
岸本 茂 / Shigeru Kishimoto / キシモト シゲル |
第3著者 所属(和/英) |
名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
水谷 孝 / Takashi Mizutani / ミズタニ タカシ |
第4著者 所属(和/英) |
名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
赤松 和弘 / Kazuhiro Akamatsu / アカマツ カズヒロ |
第5著者 所属(和/英) |
日鉱金属カ株式会社 (略称: 日鉱金属)
Nippon Mining & Metals Co.,Ltd. (略称: Nippon Mining & Metals Co., Ltd.,) |
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2009-02-26 16:55:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
ED |
資料番号 |
ED2008-231, SDM2008-223 |
巻番号(vol) |
vol.108 |
号番号(no) |
no.437(ED), no.438(SDM) |
ページ範囲 |
pp.41-46 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2009-02-19 (ED, SDM) |