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講演抄録/キーワード
講演名 2009-02-26 16:55
AlNセラミック基板上に集積した共鳴トンネルペア発振器
前澤宏一富山大)・亀谷直樹岸本 茂水谷 孝名大)・赤松和弘日鉱金属ED2008-231 SDM2008-223 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-231 SDM2008-223
抄録 (和) AlN セラミック基板上に共鳴トンネルダイオードペア発振器を作製し,その特性を調べた.作製には微小デバイスブロックの配置・配線技術を用いた.これにより,大容量のチップコンデンサをRTD の近傍に配置することが可能になった.49 GHz で安定した発振が得られ,100 kHz オフセットで-100 dBc/Hz という良好な位相ノイズ特性が得られた. 
(英) The RTD-pair oscillators were designed and fabricated on an AlN ceramic substrate employing novel integration process based on assembly of small device blocks. Using this process chip capacitors were mounted close to the oscillator without large parasitic inductance. This can relax the severe condition for bias stability. Stable oscillations were observed in the fabricated circuits at 35-50 GHz. Good single sideband phase noise of -100 dBc/Hz at 100-kHz offset was also observed for the fabricated circuit.
キーワード (和) 発振器 / ,ヘテロジニアス・インテグレイション / 共鳴トンネル / InP / / / /  
(英) oscillator / heterogeneous integration / resonant tunneling / InP / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 437, ED2008-231, pp. 41-46, 2009年2月.
資料番号 ED2008-231 
発行日 2009-02-19 (ED, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2008-231 SDM2008-223 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-231 SDM2008-223

研究会情報
研究会 SDM ED  
開催期間 2009-02-26 - 2009-02-27 
開催地(和) 北海道大学 
開催地(英) Hokkaido Univ. 
テーマ(和) 機能ナノデバイスおよび関連技術 
テーマ(英) Functional nanodevices and related technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2009-02-SDM-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) AlNセラミック基板上に集積した共鳴トンネルペア発振器 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) RTD-Pair Oscillators Integrated on an AlN Ceramic Substrate 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 発振器 / oscillator  
キーワード(2)(和/英) ,ヘテロジニアス・インテグレイション / heterogeneous integration  
キーワード(3)(和/英) 共鳴トンネル / resonant tunneling  
キーワード(4)(和/英) InP / InP  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 前澤 宏一 / Koichi Maezawa / マエザワ コウイチ
第1著者 所属(和/英) 富山大学 (略称: 富山大)
University of Toyama (略称: Univ. Toyama)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 亀谷 直樹 / Naoki Kamegai / カメガイ ナオキ
第2著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 岸本 茂 / Shigeru Kishimoto / キシモト シゲル
第3著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 水谷 孝 / Takashi Mizutani / ミズタニ タカシ
第4著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 赤松 和弘 / Kazuhiro Akamatsu / アカマツ カズヒロ
第5著者 所属(和/英) 日鉱金属カ株式会社 (略称: 日鉱金属)
Nippon Mining & Metals Co.,Ltd. (略称: Nippon Mining & Metals Co., Ltd.,)
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-02-26 16:55:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2008-231, SDM2008-223 
巻番号(vol) vol.108 
号番号(no) no.437(ED), no.438(SDM) 
ページ範囲 pp.41-46 
ページ数
発行日 2009-02-19 (ED, SDM) 


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