講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-05-22 11:15
1.3-um帯バルク型半導体光導波路における光位相・光強度変調量の波長依存性 ○本間正徳・フェラン サレラス・グウェン トゥアン アン・上野芳康(電通大)・尾崎信彦(筑波大)・浅川 潔(物質・材料研究機構) LQE2009-7 エレソ技報アーカイブへのリンク:LQE2009-7 |
抄録 |
(和) |
全光スイッチング素子は全光通信において必要要素の1つであり、小型集積化・高速動作・低エネルギー動作が課題である。これらの特性向上に関して、ナノ半導体構造のフォトニック結晶や量子ドットを用いた光導波路の応用が期待されている。また、高速なスイッチング動作には、以上の光位相変調量と速い緩和時間が必要となる。そこで我々は、1.3-m帯におけるナノ半導体とバルク半導体の光位相と光強度変調量の波長依存性(Kramers-Kronig関係式)に注目した。今回、1.3-m帯バルク型半導体光導波路試料において、光位相変調量について波長依存性を評価した。 |
(英) |
All-optical switching devices are one of the key elements in future photonic networks. They have some characteristics of minimization, ultrafast switching operation and ultralow energy operarion. Using nano-structures of phonic crystal and quantum dots are candidates for a novel all-optical devices. To operate ultrafast speed, -phase shift and ultrashort relaxation time are needed. We take notice of wavelength dependence of optical phase and amplitude modulations based on Kramers-Kronig relations in 1.3-m nano- and bulk-semiconductors. In this report, we observed wavelength dependency in 1.3-m bulk-semiconductor optical waveguide. |
キーワード |
(和) |
全光スイッチング素子 / バルク半導体 / 波長依存性 / 光位相変調量 / / / / |
(英) |
all-optical switch / bulk-semiconductor / wavelength dependency / optical phase modulation / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 49, LQE2009-7, pp. 33-37, 2009年5月. |
資料番号 |
LQE2009-7 |
発行日 |
2009-05-15 (LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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