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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-06-19 17:00 TiO2/Pt界面の化学結合および電子状態評価 ○後藤優太・貫目大介・大田晃生・尉 国浜・村上秀樹・東 清一郎・宮崎誠一（広島大）  SDM2009-44 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-44 |
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| 抄録 | （和） | TiO2を用いた抵抗変化型メモリの動作原理機構解明に向けた取り組みとして、TiO2/Pt界面の酸化・還元反応に着目し、Ti(DPM)4錯体を用いたMOCVDにより形成したTiO2/Pt構造において、熱処理およびO2プラズマ処理がTiO2/Pt界面の化学結合状態に与える影響をX線光電子分光法により評価した。Pt膜上へのTiO2堆積後、O2雰囲気中熱処理では顕著な酸化反応は認められず、リモートO2プラズマ処理ではTiO2/Pt界面で酸化反応が進行し、PtOxが形成されることが分かった。このPtOxは、400ºC以上のN2雰囲気熱処理により還元し、TiO2膜中への顕著なPt原子の混入は認められないことから、Pt拡散を伴わない酸素脱離の進行が示唆された。 |
| （英） | We focused on the interfacial reaction between TiO2 and Pt to gain a better understanding of the mechanism of resistive switching in TiO2-based Re-RAMs . A TiO2 layer was formed on Pt by MOCVD using Ti(DPM)4 precursors, and the impact of thermal anneal and O2 plasma treatment on chemical binding features near the TiO2/Pt interface was examined by X-ray photoelectron spectroscopy. Core-line spectra show no oxidation reaction at TiO2/Pt interface by O2 anneal in atmosphere pressure even at 1000ºC. On the other hand, an ultra thin PtOx layer was formed at the interface by remote O2 plasma treatment. And, the PtOx layer was reduced by thermal anneal over 400ºC in N2 ambience. Since no incorporation of Pt in TiO2 was confirmed, the result indicates oxygen desorption of O2 molecules from PtOx. | |
| キーワード | （和） | TiO2 / 化学結合状態 / 抵抗変化型メモリ / X線光電子分光分析 / / / / |
| （英） | TiO2 / Chemical Bonding Features / Resistance Random Access Memory / X-ray Photoelectron Spectroscopy / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 87, SDM2009-44, pp. 99-103, 2009年6月. | |
| 資料番号 | SDM2009-44 | |
| 発行日 | 2009-06-12 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-44 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-44 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2009-06-19 - 2009-06-19 |
| 開催地（和） | 東京大学（生産研An棟） |
| 開催地（英） | An401・402 Inst. Indus. Sci., The Univ. of Tokyo |
| テーマ（和） | ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会、第113研究集会「ゲートスタック研究の進展－Ge系材料を中心に」との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Technology for Dielectric Thin Films for MIS Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | TiO2/Pt界面の化学結合および電子状態評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of Chemical Bonding Features and Electronic States at TiO2/Pt Interface |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | TiO2 / TiO2 |
| キーワード(2)（和/英） | 化学結合状態 / Chemical Bonding Features |
| キーワード(3)（和/英） | 抵抗変化型メモリ / Resistance Random Access Memory |
| キーワード(4)（和/英） | X線光電子分光分析 / X-ray Photoelectron Spectroscopy |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 後藤 優太 / Yuta Goto / ゴトウ ユウタ |
| 第1著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima University) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 貫目 大介 / Daisuke Kanme / カンメ ダイスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima University) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大田 晃生 / Akio Ohta / オオタ アキオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima University) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 尉 国浜 / Guobin Wei / ウェイ ゴビン |
| 第4著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima University) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村上 秀樹 / Hideki Murakami / ムラカミ ヒデキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima University) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 東 清一郎 / Seiichiro Higashi / ヒガシ セイイチロウ |
| 第6著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima University) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮崎 誠一 / Seiichi Miyazaki / ミヤザキ セイイチ |
| 第7著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima University) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-06-19 17:00:00 |
| 発表時間 | 5分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-44 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.87 |
| ページ範囲 | pp.99-103 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2009-06-12 (SDM) |
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