講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-07-17 14:10
垂直磁化磁壁移動セルを用いた高速低電流MRAM ○深見俊輔・鈴木哲広・永原聖万・大嶋則和(NEC)・尾崎康亮(NECエレクトロニクス)・齊藤信作・根橋竜介・崎村 昇・本庄弘明・森 馨・五十嵐忠二・三浦貞彦・石綿延行・杉林直彦(NEC) SDM2009-114 ICD2009-30 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-114 ICD2009-30 |
抄録 |
(和) |
高速混載メモリの代替を目指した垂直磁化磁壁移動MRAMを開発した。試作素子の評価から、十分な熱安定性を維持した上で、書き込み電流は0.2 mA以下、書き込み時間は2 ns以下にできる見通しが得られ、また良好な「読み」、「書き」、「繰り返し」特性が実証された。当セルを90 nmルールで設計した場合のセルサイズは0.1 um2程度と見積もられる。これは現行のシステムLSIに混載されているほぼ全てのRAMと同等以上のコストパフォーマンスを有するものと考えられる。 |
(英) |
We have developed a new magnetic random access memory with current-induced domain wall motion (DW-motion MRAM) using perpendicular magnetic anisotropy materials. We confirmed its potentials of 0.2-mA and 2-ns writing with sufficient thermal stability, and also demonstrated good memory operations. The cell size of this MRAM was estimated to be around 0.1 um2. The obtained properties indicate that this MRAM can replace conventional high-speed embedded memories currently used in system LSI such as eSRAM and eDRAM. |
キーワード |
(和) |
MRAM / 垂直磁気異方性 / 磁壁 / 書き込み電流 / / / / |
(英) |
MRAM / Perpendicular magnetic anisotropy / Domain wall / Write-current / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 133, SDM2009-114, pp. 91-95, 2009年7月. |
資料番号 |
SDM2009-114 |
発行日 |
2009-07-09 (SDM, ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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