お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2009-07-30 13:00
有機半導体を用いたVOCセンシングフィルタの開発
高嶋 授高畑耕一金藤敬一九工大)   エレソ技報アーカイブはこちら
抄録 (和) ガス吸着性高分子薄膜をゲート絶縁膜に有する、全高分子型アルコールガスセンシング有機FETを作成した。ポリヘキシルチオフェン(PHT)あるいはPEDOT/PSSを半導体層に用いた2種類のプラーナー型素子を試作し、アルコール飽和空気下で極めて低い駆動電圧(~2V)でFET特性が発現することを確認した。更に、スルーホール型フィルタを基材にし、PEDOT/PSSを用いたガスセンシング有機FETを埋め込んだセンシングフィルタを作成し、動作性能を調査した結果、検体ガスの種類と濃度に依存した応答電流を検出することができた。 
(英) All polymer gas-seinsing organic FETs with alcohol adsorptive polymeric gate have been fabricated. Polyhexylthiophene(PHS) as well as poly(ethylene-dioxythiophen)/polystylene sulfonate (PEDOT/PSS) has been used as semiconducting layer with polyvynylphenol (PVP) as gate dielectric polymer in this study. The panar type gas-sensing OFET presented clear FET characteristics with low voltage operation (less than 5V) under exposing alcohol vapor, which represents the device are sensitive to alcohol. A gas-sensing filter with through hole filter as base material with PEDOT/PSS and PVP was also fabricated. The device successfully represented the change in the drain current by injecting alcohol mixed air.
キーワード (和) ガスセンサ / 有機トランジスタ / 静電容量 / 電気二重層 / フィルタ / / /  
(英) gas sensor / organic transistor / capacitance / electronic double layer / filter / / /  
文献情報 信学技報
資料番号  
発行日  
ISSN  
PDFダウンロード

研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2009-07-30 - 2009-07-31 
開催地(和) 大阪大学(銀杏会館) 
開催地(英) Osaka Univ. Icho-Kaikan 
テーマ(和) センサーデバイス,MEMS,一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2009-07-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 有機半導体を用いたVOCセンシングフィルタの開発 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) VOC sensing filter using organic filed-effect transistor 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ガスセンサ / gas sensor  
キーワード(2)(和/英) 有機トランジスタ / organic transistor  
キーワード(3)(和/英) 静電容量 / capacitance  
キーワード(4)(和/英) 電気二重層 / electronic double layer  
キーワード(5)(和/英) フィルタ / filter  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 高嶋 授 / Wataru Takashima / タカシマ ワタル
第1著者 所属(和/英) 九州工業大学 (略称: 九工大)
Kyushu Institute of Technology (略称: Kyushu Inst. Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 高畑 耕一 / Kouichi Takahata / タカハタ コウイチ
第2著者 所属(和/英) 九州工業大学 (略称: 九工大)
Kyushu Institute of Technology (略称: Kyushu Inst. Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 金藤 敬一 / Keiichi Kaneto / カネトウ ケイイチ
第3著者 所属(和/英) 九州工業大学 (略称: 九工大)
Kyushu Institute of Technology (略称: Kyushu Inst. Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第4著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2009-07-30 13:00:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号  
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.157 
ページ範囲  
ページ数  
発行日  


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会