講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-10-29 14:00
硫化法によるCZTS薄膜太陽電池 ○関 拓郎・五十嵐重雄・漢人康善(信州大)・百瀬成空(長野高専)・橋本佳男・伊東謙太郎(信州大) CPM2009-89 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2009-89 |
抄録 |
(和) |
$\mathrm{Cu_{2}ZnSnS_{4}}$(CZTS)は低コスト・低環境負荷の薄膜太陽電池の光吸収層として期待されている.
本研究で硫化物プリカーサを$\mathrm{H_{2}S}$雰囲気中で硫化,硫化物プリカーサをS雰囲気中で硫化,金属プリカーサをS雰囲気中で硫化の3種類の方法でCZTSを作製した.
これらの方法で作製したCZTS薄膜は粒径が小さく,膜中に$\mathrm{SnS_{2}}$が残存した.硫化物プリカーサを用いたCZTS薄膜は表面が滑らかで,裏面電極のMoとの界面に空隙は存在しなかった.
S雰囲気中で硫化したCZTS薄膜を用いて作製した太陽電池で620 mVの開放電圧が得られ、太陽電池は3種類とも4\%以上の変換効率が得られた. |
(英) |
CZTS is expected to a thin film solar cell of the low cost and environmental load by these characteristics.
In this study, CZTS thin films were fabricated by three methods, sulfurizing a sulfide precursor using $\mathrm{H_{2}}$S gas, sulfurizing a sulfide precursor using sulfur vapor and sulfurizing a metal precursor using sulfur vapor.
Size of CZTS crystals grown by each methods were small, but about 4\% conversion efficiencies were still provided. |
キーワード |
(和) |
$\mathrm{Cu_{2}ZnSnS_{4}}$ / 太陽電池 / 硫化 / 積層プリカーサ / / / / |
(英) |
$\mathrm{Cu_{2}ZnSnS_{4}}$ / Solar cells / Sulfurization / Stacked precursors / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 256, CPM2009-89, pp. 1-4, 2009年10月. |
資料番号 |
CPM2009-89 |
発行日 |
2009-10-22 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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