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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-05-19 10:25 自立n型4H-SiCエピ膜におけるキャリアライフタイムのエピ厚および表面依存性 ○加藤正史・吉田敦史・市村正也（名工大）  ED2011-4 CPM2011-11 SDM2011-17 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-4 CPM2011-11 SDM2011-17 |
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| 抄録 | （和） | SiCによる超高耐圧デバイス作製において，キャリアライフタイム制御は必須であるが，SiCでは表面再結合速度に関する報告が尐なくキャリアライフタイムを見積る際の障害となっていた．そこで本研究では厚みおよび表面状態の異なる自立n型4H-SiCエピ膜に対してキャリアライフタイム測定を行い，表面再結合速度を議論した．その結果，エピ膜表面をas-grown状態から化学機械研磨(CMP)を行った状態に変化させることで表面再結合速度が小さくなること，そしてCMP後の表面再結合速度はC面よりもSi面の方が小さいことが明らかになった． |
| （英） | To fabricate very high voltage SiC devices, control of the carrier lifetime is extremely important. However, there have been a few reports about the surface recombination on 4H-SiC, and lack of knowledge on the surface recombination velocity makes it difficult to evaluate the real carrier lifetime in 4H-SiC. In order to evaluate surface recombination velocity, this study shows experimental data for the carrier lifetime in free-standing 4H-SiC epilayers with several thicknesses and different surface conditions. As a result, we found that the chemical-mechanical polished (CMP) surface has lower surface recombination velocities than the as-grown epilayer surface, and that the surface recombination velocity after CMP is low on the Si-face compared with that on the C-face. | |
| キーワード | （和） | 4H-SiC / エピ膜 / キャリアライフタイム / 表面再結合 / / / / |
| （英） | 4H-SiC / Epilayer / Carrier lifetime / Surface recombination / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 45, CPM2011-11, pp. 15-20, 2011年5月. | |
| 資料番号 | CPM2011-11 | |
| 発行日 | 2011-05-12 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-4 CPM2011-11 SDM2011-17 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-4 CPM2011-11 SDM2011-17 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM SDM ED |
| 開催期間 | 2011-05-19 - 2011-05-20 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 ＶＢＬ |
| 開催地（英） | Nagoya Univ. (VBL) |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価技術及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2011-05-CPM-SDM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 自立n型4H-SiCエピ膜におけるキャリアライフタイムのエピ厚および表面依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Thickness and surface dependence of the carrier lifetime in free-standing n-type 4H-SiC epilayers |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 4H-SiC / 4H-SiC |
| キーワード(2)（和/英） | エピ膜 / Epilayer |
| キーワード(3)（和/英） | キャリアライフタイム / Carrier lifetime |
| キーワード(4)（和/英） | 表面再結合 / Surface recombination |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 正史 / Masashi Kato / カトウ マサシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉田 敦史 / Atsushi Yoshida / ヨシダ アツシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 市村 正也 / Masaya Ichimura / イチムラ マサヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-05-19 10:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | ED2011-4, CPM2011-11, SDM2011-17 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.44(ED), no.45(CPM), no.46(SDM) |
| ページ範囲 | pp.15-20 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-05-12 (ED, CPM, SDM) |
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