講演抄録/キーワード |
講演名 |
2011-07-15 14:00
MgO下地層を用いた極薄FePt垂直磁化膜の作製 ○田中 真・緒方祐史・中川茂樹(東工大) MR2011-2 エレソ技報アーカイブへのリンク:MR2011-2 |
抄録 |
(和) |
2 nm程度のL10-FePt規則合金薄膜を作製するために,Feシード層上に形成した(001)優先配向を持つMgO下地層を用いた.(001)優先配向MgO下地層上にエピタキシャル成長したFe[1 nm] / Pt[1 nm]は,水素雰囲気中での加熱処理により(001)優先配向したL10-FePt規則合金に変化し,2 nm程度の(001)優先配向L10-FePt規則合金薄膜を得ることができた.また,Fe,Pt膜を薄くしたことにより膜相互間の拡散が促進され,FePtの規則化温度を従来の550℃から500℃まで低減することができた.また,FePtの規則化温度のさらなる低減を目指し,第三元素としてAuをFe / Pt / Auの三層構造とすることにより添加した.その結果,規則化温度を450℃まで低減することに成功した. |
(英) |
MgO underlayer with (001) preferential orientation formed on a thin Fe seed layer is used to attain L10 ordered phase 2 nm-thick FePt films with (001) orientation. The Fe[1 nm] / Pt[1 nm] bilayer can be grown epitaxially on the MgO underlayer with (001) aligned texture and the bilayer transformed into (001)-textured L10-FePt films after annealing at 600 ºC. 2 nm-thick FePt films with (001) preferential orientations can be prepared on a thick MgO underlayer with (001) orientation. Since such a thin thickness of Fe and Pt layers enhances an inter-diffusion process between the layers, the crystallization and ordering temperature of FePt decreases from 550 °C to 500 °C. Furthermore, FePt was successfully attained at lower annealing temperature(450 °C) by adding Au into FePt. |
キーワード |
(和) |
FePt / MgO / 極薄膜 / Au / / / / |
(英) |
FePt / MgO / Very thin film / Au / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 111, 2011年7月. |
資料番号 |
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発行日 |
2011-07-08 (MR) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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