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講演抄録/キーワード
講演名 2011-07-15 14:00
MgO下地層を用いた極薄FePt垂直磁化膜の作製
田中 真緒方祐史中川茂樹東工大MR2011-2 エレソ技報アーカイブへのリンク:MR2011-2
抄録 (和) 2 nm程度のL10-FePt規則合金薄膜を作製するために,Feシード層上に形成した(001)優先配向を持つMgO下地層を用いた.(001)優先配向MgO下地層上にエピタキシャル成長したFe[1 nm] / Pt[1 nm]は,水素雰囲気中での加熱処理により(001)優先配向したL10-FePt規則合金に変化し,2 nm程度の(001)優先配向L10-FePt規則合金薄膜を得ることができた.また,Fe,Pt膜を薄くしたことにより膜相互間の拡散が促進され,FePtの規則化温度を従来の550℃から500℃まで低減することができた.また,FePtの規則化温度のさらなる低減を目指し,第三元素としてAuをFe / Pt / Auの三層構造とすることにより添加した.その結果,規則化温度を450℃まで低減することに成功した. 
(英) MgO underlayer with (001) preferential orientation formed on a thin Fe seed layer is used to attain L10 ordered phase 2 nm-thick FePt films with (001) orientation. The Fe[1 nm] / Pt[1 nm] bilayer can be grown epitaxially on the MgO underlayer with (001) aligned texture and the bilayer transformed into (001)-textured L10-FePt films after annealing at 600 ºC. 2 nm-thick FePt films with (001) preferential orientations can be prepared on a thick MgO underlayer with (001) orientation. Since such a thin thickness of Fe and Pt layers enhances an inter-diffusion process between the layers, the crystallization and ordering temperature of FePt decreases from 550 °C to 500 °C. Furthermore, FePt was successfully attained at lower annealing temperature(450 °C) by adding Au into FePt.
キーワード (和) FePt / MgO / 極薄膜 / Au / / / /  
(英) FePt / MgO / Very thin film / Au / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, 2011年7月.
資料番号  
発行日 2011-07-08 (MR) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
査読に
ついて
本技術報告は査読を経ていない技術報告であり,推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります.
PDFダウンロード MR2011-2 エレソ技報アーカイブへのリンク:MR2011-2

研究会情報
研究会 MRIS ITE-MMS  
開催期間 2011-07-15 - 2011-07-15 
開催地(和) 中央大学 後楽園キャンパス 
開催地(英) Chuo University, Kohraku-en Campus 
テーマ(和) 媒体,一般 
テーマ(英) Recording Medium, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MRIS 
会議コード 2011-07-MR-MMS 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) MgO下地層を用いた極薄FePt垂直磁化膜の作製 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Very thin FePt films with perpendicular magnetic anisotropy on MgO underlayer 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) FePt / FePt  
キーワード(2)(和/英) MgO / MgO  
キーワード(3)(和/英) 極薄膜 / Very thin film  
キーワード(4)(和/英) Au / Au  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 田中 真 / Makoto Tanaka / タナカ マコト
第1著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 緒方 祐史 / Yuji Ogata / オガタ ユウジ
第2著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 中川 茂樹 / Shigeki Nakagawa / ナカガワ シゲキ
第3著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
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講演者 第1著者 
発表日時 2011-07-15 14:00:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 MRIS 
資料番号 MR2011-2 
巻番号(vol) vol.111 
号番号(no) no.140 
ページ範囲 pp.7-12 
ページ数
発行日 2011-07-08 (MR) 


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