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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-07-29 13:30 AlGaN/GaN HFETに対する炭素添加高抵抗化SiドープGaNバッファ層の効果 ○深井雅之・柿澤秀介・伏見 浩（新日本無線）  ED2011-37 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-37 |
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| 抄録 | （和） | AlGaN/GaN HFETに必要な高抵抗バッファ層を，フェルミレベル効果の利用による低温成長の炭素添加SiドープGaNで実現し，HFETに適用することで良好なDC特性が得られた．炭素添加による高抵抗化SiドープGaNは，950℃で低温成長しており，1000℃以上の熱履歴に対しても高抵抗を維持できる．これをバッファ層に適用したHFETでは，バッファリークが低減できるため，良好なピンチオフ動作と10^5程度の高いON/OFF比を持つ特性が実現できた． |
| （英） | Based on Fermi level effect, we intentionally incorporated carbon into Si-doped GaN by low-temperature grown MOVPE at 950ºC to achieve the high resistivity buffer layer for AlGaN/GaN HFETs. Its crystalline quality does not degraded even in low-temperature growth. Measuring depth profiles and annealing behavior of impurity concentrations characterize the electrical and structural properties. It is found that electrical properties of the buffer layer do not change by high-temperature annealing, which is very stable. We like to point out that introduced carbon during growth of Si-doped GaN plays an important role in high resistivity buffer layer for AlGaN/GaN HFETs. | |
| キーワード | （和） | AlGaN / GaN / HFET / フェルミレベル効果 / 高抵抗化 / ドーピング / 炭素 / シリコン |
| （英） | AlGaN / GaN / HFET / Fermi level effect / High resistivity / Doping / Carbon / Silicon | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 167, ED2011-37, pp. 1-6, 2011年7月. | |
| 資料番号 | ED2011-37 | |
| 発行日 | 2011-07-22 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-37 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-37 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2011-07-29 - 2011-07-30 |
| 開催地（和） | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター |
| 開催地（英） | Multimedia system center, Nagaoka Univ. of Tech. |
| テーマ（和） | TFT（有機，酸化物），半導体プロセス・デバイス（表面，界面，信頼性），一般 |
| テーマ（英） | TFT (organic,oxide), Semiconductor process (surface, interface, reliability), etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2011-07-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | AlGaN/GaN HFETに対する炭素添加高抵抗化SiドープGaNバッファ層の効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of C and Si co-doping high resistivity GaN buffer layer on AlGaN/GaN HFETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | HFET / HFET |
| キーワード(4)（和/英） | フェルミレベル効果 / Fermi level effect |
| キーワード(5)（和/英） | 高抵抗化 / High resistivity |
| キーワード(6)（和/英） | ドーピング / Doping |
| キーワード(7)（和/英） | 炭素 / Carbon |
| キーワード(8)（和/英） | シリコン / Silicon |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 深井 雅之 / Masayuki Fukai / フカイ マサユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 新日本無線株式会社 (略称： 新日本無線) New Japan Radio Co., Ltd. (略称： New Japan Radio) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柿澤 秀介 / Shusuke Kakizawa / カキザワ シュウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 新日本無線株式会社 (略称： 新日本無線) New Japan Radio Co., Ltd. (略称： New Japan Radio) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伏見 浩 / Hiroshi Fushimi / フシミ ヒロシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 新日本無線株式会社 (略称： 新日本無線) New Japan Radio Co., Ltd. (略称： New Japan Radio) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-07-29 13:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2011-37 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.167 |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-07-22 (ED) |
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